Процессы микро- и нанотехнологий. Ч. 2. Шутов Д.А - 48 стр.

 камеру стеклянным колпаком и привести вакуумные краны в следующее
 положение:         «НАТЕКАТЕЛЬ»,          «ДИФФУЗИОННЫЙ             НАСОС»,
 «ФОРВАКУУМНЫЙ НАСОС» - закрыты, и только после этого открыть кран
 «БАЙПАС»;
 - перекрыть кран «НАПУСК РАБОЧЕГО ГАЗА», полностью открыть
 «НАТЕКАТЕЛЬ» и откачать газовую магистраль до давления 10-1 мм.рт.ст. или
 12 делений по шкале вакуумметра ВИТ-3;
 - перейти к п.9 и повторить последовательность работы на установке до п.22.
24. Порядок выключения установки магнетронного распыления.
  - Непосредственно после извлечения подложки с пленкой из
 подложкодердателя положения вакуумных кранов должно быть следующее:
 трехходовой кран «НАПУСК РАБОЧЕГО ГАЗА» - открыт на атмосферу;
 «НАТЕКАТЕЛЬ» - полностью открыт, «ДИФФУЗИОННЫЙ НАСОС» и
 «БАЙПАС» - закрыты, «ФОРВАКУУМНЫЙ НАСОС» - открыт. В таком
 состоянии напылительная камера – разгерметизирована, оба насос – работают и
 форвакуумный насос – непрерывно откачивает диффузионный насос;
 - перекрыть трехходовой кран и выключить тумблер «диффузионный насос»;
 - через 25-30 мин. выключить тумблер «форвакуумный насос»;
 - закрыть воду;
 - Отключить установку от электросети.
25. Параллельно с остыванием диффузионного насоса произвести визуальный или
    под микроскопом (по заданию преподавателя) осмотр подложек с
    напыленными пленками. Результаты осмотра занести в таблицу 1.
26. В зависимости от задания преподавателя исследовать качество сцепления
    пленки металла с подложкой, используя ультразвуковой дезинтегратор UD-20
    (режим и время обработки подложек ультразвуком уточнить у преподавателя).
    Результаты исследований занести в таблицу формы 2.

   Контрольные вопросы
1. Приведите примеры использования тонких металлических пленок в
   технологии микроэлектроники.
2. Охарактеризуйте метод термического испарения в вакууме для целей
   получения тонких металлических пленок (возможности метода, область
   применения, преимущества и недостатки).
3. Охарактеризуйте метод термического испарения в вакууме с точки зрения
   динамики процесса (стадии процесса, влияние условий, наиболее
   благоприятный режим проведения процесса).
4. Охарактеризуйте наиболее благоприятный механизм роста пленок.
5. Охарактеризуйте аппаратное оформление установки термического испарения
   в вакууме (наиболее важные блоки установки, их назначение).
6. Зачем необходимо проводить термическую обработку пленок после ее
   нанесения?
7. Охарактеризуйте различные типы испарителей в составе установки
   вакуумного испарения (возможности, принцип действия, преимущества,
   недостатки).
8. Охарактеризуйте метод катодного распыления для целей получения тонких
   металлических пленок (возможности метода, область применения,
   преимущества и недостатки).



                                    48