Процессы микро- и нанотехнологий. Ч. 2. Шутов Д.А - 5 стр.

                         Лабораторная работа 7
 Материалы для полупроводниковых и гибридных интегральных
                                микросхем

     Цель работы
  1. Изучить свойства исходных пластин (заготовок) для изготовления
     полупроводниковых интегральных микросхем.
  2. Исследовать свойства подложек для изготовления гибридных интегральных
     микросхем

      Теоретические сведения
                              Термины и определения
      При изучении материала данной лабораторной работы использована
терминология стандарта [1].
      Полупроводниковая интегральная микросхема - микросхема, все элементы и
межэлементные соединения которой выполнены в объёме и на поверхности
полупроводника.
      Полупроводниковая пластина - заготовка из полупроводникового материала,
используемая для изготовления полупроводниковых ИМС.
      Элемент интегральной микросхемы - часть микросхемы, реализующая
функцию какого-либо радиоэлемента, которая выполнена нераздельно от кристалла
(подложки) и не может быть выделена как самостоятельное изделие. К
электрорадиоэлементам относятся резисторы, конденсаторы, диоды, транзисторы и
т.д.
      Плёночная интегральная микросхема - интегральная микросхема, элементы
которой выполнены в виде рисунка из плёнок с различными электрическими
свойствами. Плёночные ИМС могут быть тонкоплёночными и толстоплёночными.
      Тонкоплёночная интегральная микросхема - плёночная ИМС с толщиной
плёнок до 10-6 м. Элементы тонкоплёночной ИМС наносятся преимущественно
методами термовакуумного осаждения, катодного (магнетронного) распыления.
      Толстоплёночная интегральная микросхема - плёночная ИМС с толщиной
плёнок свыше 10-6 м. Элементы толстоплёночной интегральной микросхемы
наносятся на подложку методами трафаретной печати (толстоплёночной технологии)
путём продавливания паст (проводящих, диэлектрических, резистивных) через
специальный сетчатый трафарет. Нанесённые на подложку пасты высушиваются, а
затем вжигаются в подложку.
      Гибридная интегральная микросхема - это плёночная ИМС, в которой часть
элементов имеет самостоятельное конструктивное оформление. Такие элементы
называются навесными. Например, плёночная ИМС, как правило, гибридная: в ней
навесными являются активные элементы, а пассивные элементы (резистор,
конденсатор) - из тонких или толстых плёнок.

                        Полупроводниковые материалы
Основные требования
      Полупроводниковые материалы, применяемые для изготовления различных
изделий микроэлектроники, должны отвечать ряду требований. Пригодность того
или иного полупроводникового материала определяется его:
   - кристаллической структурой,
   - шириной запрещённой зоны,
                                      5