ВУЗ:
Составители:
Рубрика:
5
Лабораторная работа 7
Материалы для полупроводниковых и гибридных интегральных
микросхем
Цель работы
1. Изучить свойства исходных пластин (заготовок) для изготовления
полупроводниковых интегральных микросхем.
2. Исследовать свойства подложек для изготовления гибридных интегральных
микросхем
Теоретические сведения
Термины и определения
При изучении материала данной лабораторной работы использована
терминология стандарта [1].
Полупроводниковая интегральная микросхема - микросхема, все элементы и
межэлементные соединения которой выполнены в объёме и на поверхности
полупроводника.
Полупроводниковая пластина - заготовка из полупроводникового материала,
используемая для изготовления полупроводниковых ИМС.
Элемент интегральной микросхемы - часть микросхемы, реализующая
функцию какого-либо радиоэлемента, которая выполнена нераздельно от кристалла
(подложки) и не может быть выделена как самостоятельное изделие. К
электрорадиоэлементам относятся резисторы, конденсаторы, диоды, транзисторы и
т.д.
Плёночная интегральная микросхема - интегральная микросхема, элементы
которой выполнены в виде рисунка из плёнок с различными электрическими
свойствами. Плёночные ИМС могут быть тонкоплёночными и толстоплёночными.
Тонкоплёночная интегральная микросхема - плёночная ИМС с толщиной
плёнок до 10
-6
м. Элементы тонкоплёночной ИМС наносятся преимущественно
методами термовакуумного осаждения, катодного (магнетронного) распыления.
Толстоплёночная интегральная микросхема - плёночная ИМС с толщиной
плёнок свыше 10
-6
м. Элементы толстоплёночной интегральной микросхемы
наносятся на подложку методами трафаретной печати (толстоплёночной технологии)
путём продавливания паст (проводящих, диэлектрических, резистивных) через
специальный сетчатый трафарет. Нанесённые на подложку пасты высушиваются, а
затем вжигаются в подложку.
Гибридная интегральная микросхема - это плёночная ИМС, в которой часть
элементов имеет самостоятельное конструктивное оформление. Такие элементы
называются навесными. Например, плёночная ИМС, как правило, гибридная: в ней
навесными являются активные элементы, а пассивные элементы (резистор,
конденсатор) - из тонких или толстых плёнок.
Полупроводниковые материалы
Основные требования
Полупроводниковые материалы, применяемые для изготовления различных
изделий микроэлектроники, должны отвечать ряду требований. Пригодность того
или иного полупроводникового материала определяется его:
- кристаллической структурой,
- шириной запрещённой зоны,
Лабораторная работа 7 Материалы для полупроводниковых и гибридных интегральных микросхем Цель работы 1. Изучить свойства исходных пластин (заготовок) для изготовления полупроводниковых интегральных микросхем. 2. Исследовать свойства подложек для изготовления гибридных интегральных микросхем Теоретические сведения Термины и определения При изучении материала данной лабораторной работы использована терминология стандарта [1]. Полупроводниковая интегральная микросхема - микросхема, все элементы и межэлементные соединения которой выполнены в объёме и на поверхности полупроводника. Полупроводниковая пластина - заготовка из полупроводникового материала, используемая для изготовления полупроводниковых ИМС. Элемент интегральной микросхемы - часть микросхемы, реализующая функцию какого-либо радиоэлемента, которая выполнена нераздельно от кристалла (подложки) и не может быть выделена как самостоятельное изделие. К электрорадиоэлементам относятся резисторы, конденсаторы, диоды, транзисторы и т.д. Плёночная интегральная микросхема - интегральная микросхема, элементы которой выполнены в виде рисунка из плёнок с различными электрическими свойствами. Плёночные ИМС могут быть тонкоплёночными и толстоплёночными. Тонкоплёночная интегральная микросхема - плёночная ИМС с толщиной плёнок до 10-6 м. Элементы тонкоплёночной ИМС наносятся преимущественно методами термовакуумного осаждения, катодного (магнетронного) распыления. Толстоплёночная интегральная микросхема - плёночная ИМС с толщиной плёнок свыше 10-6 м. Элементы толстоплёночной интегральной микросхемы наносятся на подложку методами трафаретной печати (толстоплёночной технологии) путём продавливания паст (проводящих, диэлектрических, резистивных) через специальный сетчатый трафарет. Нанесённые на подложку пасты высушиваются, а затем вжигаются в подложку. Гибридная интегральная микросхема - это плёночная ИМС, в которой часть элементов имеет самостоятельное конструктивное оформление. Такие элементы называются навесными. Например, плёночная ИМС, как правило, гибридная: в ней навесными являются активные элементы, а пассивные элементы (резистор, конденсатор) - из тонких или толстых плёнок. Полупроводниковые материалы Основные требования Полупроводниковые материалы, применяемые для изготовления различных изделий микроэлектроники, должны отвечать ряду требований. Пригодность того или иного полупроводникового материала определяется его: - кристаллической структурой, - шириной запрещённой зоны, 5
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 3
- 4
- 5
- 6
- 7
- …
- следующая ›
- последняя »