Процессы микро- и нанотехнологий. Ч. 2. Шутов Д.А - 56 стр.

      В качестве источника света обычно применяют ртутно-кварцевую лампу
высокого давления ДРШ-350 или ДРШ-500, создающую мощный световой поток.
Излучение такой лампы лежит в основном в ультрафиолетовой области спектра
(330-440 нм).
      Важным оптическим эффектом при экспонировании является прохождение
ультрафиолетового излучения через пленку фоторезиста. Световой поток, проходя
через слой фоторезиста, рассеивается в нем, а, достигая подложки, отражается от нее
и возвращается обратно в слой фоторезиста. Дойдя до поверхности фотошаблона,
световой поток отражается под углом от его металлизированных непрозрачных
участков и через прозрачные участки попадает в слой фоторезиста на подложке. Эти
отражения светового потока приводят к нежелательному дополнительному
экспонированию участков слоя фоторезиста, находящегося под непрозрачными
участками фотошаблона. Интенсивность отраженного потока света зависит от
коэффициентов отражения подложки и фотошаблона. Для снижения эффекта
отражения при контактной фотолитографии используют цветные оксидные
фотошаблоны, имеющие малый коэффициент отражения.

Проявление слоя фоторезиста
      Проявление заключается в удалении в зависимости от использованного типа
фоторезиста экспонированных или неэкспонированных участков, в результате чего на
поверхности подложек остается защитный рельеф - фоторезистивная маска требуемой
конфигурации.
      Проявителями для негативных фоторезистов служат органические
растворители: толуол, бензол, уайт-спирит, трихлорэтилен, хлорбензол и др.
      Для проявления позитивных фоторезистов используют слабые водные и
водно-глицериновые растворы щелочей: 0,3-0,6 %-ный раствор КОН, 1-2 %-ный
раствор тринатрийфосфата.
      При проявлении негативных фоторезистов основными факторами являются
полнота реакции полимеризации фоторезиста при экспонировании, и тип
проявителя, а позитивных - концентрация проявителя и время проявления.
      Кроме того, важным фактором при проявлении фоторезистов является
значение рН и температура проявителя. При изменении рН всего на десятую долю
процента размер элемента рельефного рисунка может измениться на 10%. С ростом
температуры скорость проявления (скорость растворения фоторезиста в
проявителе) растет, и размеры проявленных участков увеличиваются.
      Типовое время проявления отечественных позитивных фоторезистов 30-40 с,
что позволяет согласовывать работу отдельных блоков линий фотолитографии и
контролировать процесс проявления с большой точностью.
      Механизм проявления негативных фоторезистов основан на следующих
процессах:
      - диффузии молекул проявителя к экспонированным и неэкспонированным
участкам слоя фоторезиста;
      - набухании неэкспонированных участков и частично экспонированных участков
слоя фоторезиста;
      - растворении экспонированных участков и переходе молекул полимера в объем
проявителя;
      - формировании рельефа элементов рисунка;
      - удалении остатков фоторезиста с неэкспонированных участков;
      - испарении проявителя из объема экспонированных участков фоторезиста и
восстановлении первоначальных геометрических размеров элементов рисунка.
                                        56