Процессы микро- и нанотехнологий. Ч. 2. Шутов Д.А - 54 стр.

растворителя подложки нагревают до температуры, примерно равной 100°С. Время
сушки выбирают оптимальным для конкретных типов фоторезистов.
      Существует три метода сушки фоторезиста:
      - конвекционный,
      - инфракрасный,
      - посредством СВЧ-поля.
      При конвективной сушке подложки выдерживают в термокамере при 90-
100°С в течение 15—30 мин. Недостаток этого метода - низкое качество
получаемого фоторезистивного слоя.
      При инфракрасной сушке источником теплоты является сама
полупроводниковая подложка, поглощающая ИК-излучение от специальной лампы
или спирали накаливания. Окружающая среда (очищенный и осушенный инертный
газ или воздух) при этом сохраняет благодаря непрерывной продувке примерно
комнатную температуру. При данном механизме сушки время сокращается до 5 - 10
мин.
      При СВЧ-сушке подложки нагреваются, поглощая электромагнитную
энергию СВЧ-поля. Такая сушка производится в печах мощностью 200 - 400 Вт при
рабочей частоте 2,45 ГГц. Время сушки - несколько секунд. Достоинством этого
метода является высокая производительность, а недостатками - сложность
оборудования и необходимость тщательного экранирования рабочего объема во
избежание облучения оператора, а также неравномерность сушки слоя
фоторезиста на различных по электрическим характеристикам участках подложек.
Поэтому сушке в СВЧ-поле подвергают только однородные подложки.
Высушенный слой необходимо экспонировать не позднее чем через 10 ч.

Совмещение и экспонирование
      Совмещение и экспонирование являются наиболее ответственными операциями
процесса фотолитографии. Точность полученного в процессе фотолитографии
топологического рисунка в первую очередь определяется прецизионностью процесса
совмещения.
      Передача изображения с фотошаблона на подложку должна выполняться с
точностью до десятых долей минимального размера элемента, поэтому процессы
совмещения и экспонирования проводят на одном рабочем месте одновременно на
одной установке, не допуская даже малой вибрации фотошаблона и подложки.
      Перед экспонированием слоя фоторезиста фотошаблон следует правильно
сориентировать относительно подложки и рисунка предыдущего слоя. Для полного
формирования структуры полупроводникового прибора или ИМС необходим комплект
фотошаблонов со строго согласованными топологическими рисунками элементов.
      При первой фотолитографии, когда поверхность подложек еще однородна,
фотошаблон ориентируют относительно базового среза подложки. При последующих
фотолитографиях, когда на подложках сформированы топологические слои, рисунок
фотошаблона ориентируют относительно рисунка предыдущего слоя.
      Совмещают рисунки фотошаблона и подложки в два этапа. На первом этапе с
помощью реперных модулей - "пустых кристаллов" выполняют грубое совмещение в
пределах всего поля подложки. На втором этапе с помощью микроскопа в пределах
единичного модуля по специальным знакам - фигурам совмещения, предусмотренным
в рисунке каждого топологического слоя, выполняют точное совмещение. Форму фигур
совмещения (кресты, круги, квадраты) выбирают в зависимости от типа
используемого при фотолитографии фоторезиста.


                                       54