Процессы микро- и нанотехнологий. Ч. 2. Шутов Д.А - 59 стр.

                 II. Особенности проекционной фотолитографии
      При проекционной литографии изображение с фотошаблона переносится
(проецируется) на полупроводниковую подложку с помощью оптических систем -
проекционных       объективов.    Разрешающая       способность   проекционной
фотолитографии 0,6 - 0,8 мкм.
      Метод проекционной фотолитографии имеет несколько вариантов, которые
отличаются масштабами переноса изображения и способами заполнения рабочего
поля подложки.
      Так, при масштабе 1:1 изображение с фотошаблона переносится с помощью
проекционной системы на подложку без изменения размеров элементов.
Экспонирование может осуществляться сразу всего рабочего поля подложки или
последовательным его сканированием.
      При проекционной фотолитографии с уменьшением масштаба (обычно 10:1
или 5:1) единичное изображение переносится с фотошаблона на рабочее поле
подложки последовательной мультипликацией.
      При проекционной фотолитографии, как и при контактной, необходимо точно
совмещать фотошаблон с подложкой, для чего служат специальные фигуры - метки
совмещения.
Оптические эффекты при фотолитографии
      При переносе изображения с фотошаблона на слой фоторезиста дифракция на
краях маски фотошаблона вызывает искажение элементов рисунка, формируемого
на слое фоторезиста. Известно, что свет, обладая волновой природой, претерпевает
дифракционное перераспределение на освещаемом объекте. При этом следует
учитывать, что между фотошаблоном и подложкой даже при контакте всегда
имеется некоторый зазор, обусловленный их взаимной неплоскостностью.
Необходимо также принимать в расчет толщину слоя фоторезиста, так как при
воспроизведении элементов малых размеров она становится соизмерима с ними.

      Описание лабораторного оборудования
      Для изучения фотолитографического процесса используется следующее
оборудование и материалы:
      1. Набор химических реактивов и растворителей, расположенных на
специальной стойке в лаборатории или под тягой:
      - очистка подложек осуществляется по методике и с использованием
реактивов, описанных в предыдущей лабораторной работе;
      - в работе используется промышленный позитивный фоторезист (конкретная
марка фоторезиста уточняется у преподавателя);
      - в качестве проявителя используется 1% раствор щелочи (NaOH или KOH);
      - в качестве травителя технологического слоя в случае меди используется
азотная кислота (HNO3), а в случае алюминия – раствор щелочи (NaOH или KOH);
      -    полимерную      пленку    отработанного    фоторезиста  удаляют   в
концентрированной азотной кислоте.
      2. Стандартный набор лабораторной посуды для отмывки подложек и
проведения хим. обработки подложек.
      3. Установка нанесения фоторезиста методом центрифугирования (рис.3).
      4. Установка экспонирования (рис.4).
      5. Набор сменных фотошаблонов (масок).
      6. Оптический микроскоп.
      7. Секундомер.


                                       59