Процессы микро- и нанотехнологий. Ч. 2. Шутов Д.А - 61 стр.

       Порядок выполнения работы
В зависимости от задания преподавателя работа может выполняться в несколько
этапов.
   1. Получить у преподавателя необходимое количество образцов, либо чистых
       подложек, либо с уже нанесенными тонкими металлическими пленками
       алюминия и (или) меди.
   2. В случае получения образцов без металлических пленок их необходимо
       очистить и нанести на них пленки алюминия и (или) меди (по заданию
       преподавателя). При этом использовать методику лабораторной работы
       «Технологии получения тонких металлических пленок». Метод получения
       тонких пленок (вакуумное испарения или магнетронное распыление) также
       уточняется у преподавателя.
   3. Нанести на слой металла фоторезист методом центрифугирования на
       установке, показанной на рис. 3. Для этого необходимо:
   - получить у лаборанта емкость с промышленным фоторезистом и дозатор для его
   дозированного использования (в простейшем случае это может быть пипетка);
   - снять защитный кожух с центрифуги;
   - установить подложку на диск центрифуги металлической пленкой вверх и
   зафиксировать подложку в центре диска центрифуги (ВНИМАНИЕ! Не
   рекомендуется касаться рабочей поверхности подложки руками);
   - установить защитный кожух центрифуги так, чтобы вращающийся диск
   центрифуги не касался защитного кожуха;
   - включить тумблер центрифуги и дождаться выхода ее на рабочий режим (10-15
   сек);
   - осторожно дозатором впрыснуть 2-3 капли фоторезиста в центральное
   отверстие защитного кожуха центрифуги;
   - далее после 10-15 секунд включить тумблер центрифуги и дождаться ее полной
   остановки;
   - снять защитный кожух центрифуги и визуально убедиться в том, что фоторезист
   равномерно распределился по всей поверхности подложки (в противном случае
   подложка с фоторезистом бракуется и поступает на операцию исправления брака:
   весь фоторезист снимается с подложки растворителем и повторяется операция
   его нанесения до равномерного покрытия им всей плоскости подложки);
   - после успешного нанесения фоторезиста подложки подвергают сушке в два
   этапа: первый - при затемнении при комнатной температуре в течение 10-15
   минут; второй этап – в сушильном шкафу при температуре 90±10 0С в течение 20-
   30 минут (более точно режим сушки уточняется в зависимости от конкретной
   марки фоторезиста).
   4. Провести операцию экспонирования слоя фоторезиста – для этих целей:
   - разместить подложку со слоем фоторезиста в установку экспонирования (рис.4)
   так, чтобы слой резиста был сверху;
   - осторожно, не царапая пленку фоторезиста наложить шаблон на подложку;
   - включить установку экспонирования, при этом в смотровом окне можно будет
   наблюдать излучение ртутной лампы;
   - проводить экспонирование, то есть засветку фоторезиста строго определенное
   время (время экспонирования определяется мощностью светового потока в
   временем, поскольку освещенность в нашем случае есть величина постоянная, то
   оптимальная экспозиция будет зависеть только от времени, которое подбирается
   экспериментально и может изменяться от нескольких секунд до нескольких
   минут; рекомендуемое время экспонирования – 3 мин;
                                       61