Процессы микро- и нанотехнологий. Ч. 2. Шутов Д.А - 62 стр.

- по окончании операции экспонирования выключить установку экспонирования,
снять шаблон с подложки и осторожно (пинцетом) извлечь подложку из
установки.
5. Далее экспонированные образцы подвергаются химической обработке –
проявлению, цель которой – удаление ненужных участков фоторезистивного слоя
и формирование топологии маски на поверхности подложки – для этих целей:
- поместить подложку в ванночку с проявителем и визуально наблюдать процесс
проявления до четкого формирования на подложке топологии рельефа (для
проявления позитивного фоторезиста использовать 1% раствор NaOH или KOH,
либо 2% раствор Na3PO4; для проявления негативного фоторезиста использовать
– трихлорэтилен; процесс ведется при комнатной температуре);
- по окончании проявления подложки промыть в дистиллированной воде и
приступить к операции задубливания.
6. Провести операцию второй сушки (задубливание) – для этих целей:
- поместить подложки в сушильный шкаф на фильтровальной бумаге;
- провести задубливание (выдерживание обработанных подложек в сушильном
шкафу) в течение 30 минут при температуре 150-180 0С (цель задубливания –
закрепление оставшегося на подложке фоторезиста и придание ему резистивных
свойств, то есть устойчивости к травителям);
- далее осторожно извлечь подложки из сушильного шкафа, в течение 3-5 минут
дать им остыть до комнатной температуры и далее приступить к операции
травления технологического слоя на подложке.
7. Провести операцию травления технологического слоя (в данном случае
металлической пленки) через резистивную маску; для этих целей выполнить
следующее:
- подготовить ванночку для травления, заполнив ее соответствующим травителем
(для пленок меди использовать азотную кислоту, а для травления алюминия –
25% раствор NaOH);
- осторожно пластиковым пинцетом перенести подложки в травитель и визуально
наблюдать процесс травления (среднее время травления не должно превышать
несколько минут);
- после окончания процесса травления промыть подложки в дистиллированной
воде.
8. Выполнить заключительную операцию литографического процесса – удаление
пленки фоторезиста, для этих целей выполнить следующие действия:
- подготовить контейнер для удаления пленки фоторезиста, заполнив его
концентрированной серной кислотой (ВНИМАНИЕ! Все операции с кислотами
выполнять только под тягой с использованием пластикового пинцета);
- поместить обрабатываемые подложки в контейнер с серной кислотой;
- визуально наблюдать процесс удаления пленки фоторезиста (среднее время
удаления полимерной пленки фоторезиста 1-1,5 мин);
- после полного удаления слоя фоторезиста подложки промыть в
дистиллированной воде.
9. Высушить подложки фильтровальной бумагой или при необходимости в
сушильном шкафу при температуре 80-85 0С.
10. Произвести визуальный осмотр полученной топологии металлической пленки
на подложке, сделать необходимые выводы о возможных причинах брака.




                                   62