Процессы микро- и нанотехнологий. Ч. 2. Шутов Д.А - 77 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

ИГХТУ | Иваново

Составители: 

Рубрика: 

77
Электрическая схема КМДП инвертора
Инвертор состоит из транзистора n-типа и
транзистора p-типа. Имеет один вход «а» и
один выход «f.».
Выполняет функцию инверсии сигнала.
Топология КМДП инвертора:
1 – p
+
- активная область;
2 – p – канал МДП – транзистора;
3 – n – канал МДП – транзистора;
4 – n
+
- активная область.
Рис.4. Электрическая схема и топология КМДП инвертора, изготовленного по
КМДП технологическому процессу с поликремниевым затвором и диэлектрической
LOCOS изоляцией на кремниевой подложке p – типа.
Описание изучаемых изделий
Микросхема ЭК587ИК1
В качестве изделия 1, изготовляемого по КМДП технологии с алюминиевым
затвором и изоляцией p-n переходом использована микросхема ЭК587ИК1.
Интегральная полупроводниковая микросхема ЭК587ИК1 является схемой
обмена информации микропроцессорного комплекта и представляет собой
автономный асинхронный восьмиразрядный модуль обработки и коммутации
информации и служит для организации внутри- и внепроцессорного параллельного и
последовательного обмена данными, интерфейса процессоров, каналов, построения
блоков прерывания, для использования в контроллерах периферийных устройств,
управления ОЗУ и т.д. 
                                          Электрическая схема КМДП инвертора

                                          Инвертор состоит из транзистора n-типа и
                                          транзистора p-типа. Имеет один вход «а» и
                                          один выход «f.».
                                          Выполняет функцию инверсии сигнала.




    Топология КМДП инвертора:

1 – p+ - активная область;
2 – p – канал МДП – транзистора;
3 – n – канал МДП – транзистора;
4 – n+ - активная область.

Рис.4. Электрическая схема и топология КМДП инвертора, изготовленного по
КМДП технологическому процессу с поликремниевым затвором и диэлектрической
LOCOS изоляцией на кремниевой подложке p – типа.

                                   Описание изучаемых изделий
      Микросхема ЭК587ИК1
      В качестве изделия 1, изготовляемого по КМДП технологии с алюминиевым
затвором и изоляцией p-n переходом использована микросхема ЭК587ИК1.
      Интегральная полупроводниковая микросхема ЭК587ИК1 является схемой
обмена информации микропроцессорного комплекта и представляет собой
автономный асинхронный восьмиразрядный модуль обработки и коммутации
информации и служит для организации внутри- и внепроцессорного параллельного и
последовательного обмена данными, интерфейса процессоров, каналов, построения
блоков прерывания, для использования в контроллерах периферийных устройств,
управления ОЗУ и т.д.

                                            77

Страницы