Процессы микро- и нанотехнологий. Ч. 2. Шутов Д.А - 75 стр.

чтобы примесь не попадала сквозь нитридную маску в активные области
транзисторов n-типа, не защищенную фоторезистом. Таким способом получают
легированные p-охраной области зазоров, самосовмещенные с активными областями
по границе нитридной маски. Локальное окисление не покрытых нитридом зазоров
между активными областями создает диэлектрическую изоляцию КМДП
транзисторов. При этом полевой окисел вокруг n-канальных транзисторов лежит на
подслое р-охраны, препятствующей образованию инверсного слоя положительным
зарядом в полевом окисле. LOCOS процесс завершается селективным удалением
нитридной маски с активных областей транзисторов.
      Далее активные области подвергаются предварительному окислению. Это
окисление предотвращает возможность появления дефектов в затворном окисле по
границе с полевым окислом. Причиной дефектов могут стать остатки неударенного
оксинитрида – так называемый эффект «белой полосы». По предварительному
окислу выполняют подгонку пороговых напряжений транзисторов и создают
структуру поверхностного канала в n-МДП и углубленного канала в p-МДП
транзисторах. По предварительному окислу проводят легирование встроенного
канала (5 фотолитография) для создания конденсаторов между областью
встроенного канала и затвором из поликремния.
      После удаления предварительного окисла проводят затворное окисление,
осаждение поликремния, легирование поликремния диффузией фосфора. На 6-й
фотолитографии формируют затворы транзисторов и разводку из поликремния. На
7 и 8-й фотолитографии создают n+ и p+ исток-стоковые области КМДП
транзисторов n+ и p+ области контактов к карманам и подложке. Области n+ типа
создаются легированием мышьяком с добавлением малого фосфора для достижения
плавного p-n перехода, увеличения пробивного напряжения и смягчения эффекта
горячих носителей в n-канальных транзисторах.
      Межслойная изоляция металл/n+, металл/p+, металл/поликремний образуется
осаждением слоев окисла и фосфорно-силикатного стекла (ФСС). Топологический
рельеф под металл сглаживается растеканием слоя ФСС при оплавлении.
      На 9-й фотолитографии вскрываются контактные окна в межслойной
изоляции к областям n+, p+ и поликремнию.
      Завершается технологический процесс изготовления пластин 10 и 11-й
фотолитографиями создания алюминиевой разводки и вскрытия окон в слое
пассивации из слоев окисла и оксинитрида над контрактными площадками.
      Последними технологическими операциями по пластинам являются контроль
электрических параметров пластины по специальным тестовым структурам на
соответствие требованиям спецификации на КМДП процесс и 100% контроль
функционирования кристаллов.
      После разделения пластин на кристаллы, годные по функционированию
кристаллы проходят операции сборки для получения микросхем.




                                      75