Процессы микро- и нанотехнологий. Ч. 2. Шутов Д.А - 73 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

ИГХТУ | Иваново

Составители: 

Рубрика: 

73
Создание затворов МДП
транзисторов и разводки из
поликристаллического кремния.
42 РИТ поликремния
Min d
x(ост)
=0,20
мкм
(по SiO
2
)
43 Удаление фоторезиста «КАРО»
44 Химическая обработка «КАРО», «ПА»
45 Окисление поликремния
Т=850°С,
в атмосфере
О
2
+ Н
2
О
d
x
=0,01 мкм по
кремнию
46
Фотолитография 7.
Создание маски для ионного
легирования областей n+ исток/сток
47 Ионное легирование фосфором.
Формирование N- исток/сток
E = 40 кэВ
D = 1.0 мкКл/см
2
48 Ионное легирование мышьяком.
Формирование n+ исток/сток
E = 60 кэВ
D = 700 мкКл/см
2
49 Удаление фоторезиста «ПХ» + «КАРО»
50 Химическая обработка «КАРО», «ПА»
51
Фотолитография 8.
Создание маски для ионного
легирования областей p+ исток/сток
52 Ионное легирование BF
2
.
Формирование n+ исток/сток
E = 90 кэВ
D = 300 мкКл/см
2
53 Удаление фоторезиста «ПХ» + «КАРО»
54 Химическая обработка «КАРО», «ПА»
55 Окисление
Т=950°С,
в атмосфере
сухого О
2
.
d
x
=0,036 мкм
56 Осаждение SiO
2
Т=450°С
d
x
=0,20 мкм
57 Осаждение ФСС
Т=450°С
d
x
=0,60 мкм
58 Оплавление ФСС
Т=1000°С, в
атмосфере N
2
сух.
59
Фотолитография 9.
Создание маски для травления
контактных окон к поликремнию и
n+, p+ исток/стокам.
60 Травление ФСС
Буферный
травитель
Min d
x(ост)
=0,50
мкм
(по SiO
2
)
61 РИТ ФСС
Min d
x(ост)
=0,01
мкм
(по SiO
2
)
62 Удаление фоторезиста «КАРО»
63 Химическая обработка «КАРО»
64 Освежение контактных окон
65 Напыление металла Al + 1%Si d
x
=1,0 мкм 
   Создание затворов МДП
   транзисторов и разводки из
   поликристаллического кремния.
42 РИТ поликремния                                        Min dx(ост)=0,20
                                                               мкм
                                                            (по SiO2)
43 Удаление фоторезиста               «КАРО»
44 Химическая обработка               «КАРО», «ПА»
45 Окисление поликремния                  Т=850°С,        dx=0,01 мкм по
                                        в атмосфере          кремнию
                                          О2 + Н2 О
46 Фотолитография 7.
   Создание маски для ионного
   легирования областей n+ исток/сток
47 Ионное легирование фосфором.           E = 40 кэВ
   Формирование N- исток/сток          D = 1.0 мкКл/см2
48 Ионное легирование мышьяком.           E = 60 кэВ
   Формирование n+ исток/сток          D = 700 мкКл/см2
49 Удаление фоторезиста                «ПХ» + «КАРО»
50 Химическая обработка                 «КАРО», «ПА»
51 Фотолитография 8.
   Создание маски для ионного
   легирования областей p+ исток/сток
52 Ионное легирование BF2 .               E = 90 кэВ
   Формирование n+ исток/сток          D = 300 мкКл/см2
53 Удаление фоторезиста               «ПХ» + «КАРО»
54 Химическая обработка               «КАРО», «ПА»
55 Окисление                               Т=950°С,       dx=0,036 мкм
                                         в атмосфере
                                          сухого О2.
56 Осаждение SiO2                          Т=450°С         dx=0,20 мкм
57 Осаждение ФСС                           Т=450°С         dx=0,60 мкм
58 Оплавление ФСС                        Т=1000°С, в
                                      атмосфере N2 сух.
59 Фотолитография 9.
   Создание маски для травления
   контактных окон к поликремнию и
   n+, p+ исток/стокам.
60 Травление ФСС                          Буферный        Min dx(ост)=0,50
                                          травитель            мкм
                                                            (по SiO2)
61 РИТ ФСС                                                Min dx(ост)=0,01
                                                               мкм
                                                            (по SiO2)
62   Удаление фоторезиста                  «КАРО»
63   Химическая обработка                  «КАРО»
64   Освежение контактных окон
65   Напыление металла                Al + 1%Si             dx=1,0 мкм

                                     73

Страницы