Процессы микро- и нанотехнологий. Ч. 2. Шутов Д.А - 72 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

ИГХТУ | Иваново

Составители: 

Рубрика: 

72
18 РИТ Si
3
N
4
Min d
x(ост)
=0,25
мкм
(по SiO
2
)
19 Удаление фоторезиста «КАРО»
20 Химическая обработка «КАРО», «ПА»
21
Фотолитография 4.
Вскрытие окон в фоторезисте для
создания охранных областей р-
типа под полевым окислом в p-
кармане
22 Ионное легирование бором.
Формирование охранных областей
р – типа.
E = 20 кэВ
D = 10 мкКл/см
2
23 Удаление фоторезиста «КАРО»
24 Химическая обработка «КАРО», «ПА»
25 Окисление
(Формирование полевого окисла)
Т=950°С,
в атмосфере
О
2
+ Н
2
О
d
x
=0,85 мкм
26 Удаление Si
3
N
4
H
3
PO
4
27 Стравливание SiO
2
Буферный
травитель
28 Химическая обработка «КАРО», «ПА»
29 Окисление
Т=950°С,
в атмосфере
О
2
+ Н
2
О
d
x
=0,05 мкм
30 Ионное легирование бором.
Подгонка пороговых напряжений
МДП транзисторов n– и р– типа.
E = 40 кэВ
D = 0,08 мкКл/см
2
31 Химическая обработка «КАРО», «ПА»
32
Фотолитография 5.
Вскрытие окон в фоторезисте для
создания областей n – типа
встроенного канала в транзисторах
n-типа.
33 Ионное легирование фосфором.
Формирование охранных областей
р – типа.
E = 40 кэВ
D = 10 мкКл/см
2
34 Удаление фоторезиста «КАРО»
35 Химическая обработка «КАРО», «ПА»
36 Стравливание SiO
2
Буферный
травитель
37 Химическая обработка «КАРО», «ПА»
38 Окисление
Т=950°С,
в атмосфере
сухого О
2
.
d
x
= 0,030 мкм
39 Осаждение поликристаллического
кремния
Т=600°С
d
x
=0,5 мкм
40 Диффузия фосфора
Т=900°С ρ
s
=20 Ом /
41
Фотолитография 6. 
18 РИТ Si3N4                                                   Min dx(ост)=0,25
                                                                    мкм
                                                                 (по SiO2)
19 Удаление фоторезиста                       «КАРО»
20 Химическая обработка                     «КАРО», «ПА»
21 Фотолитография 4.
   Вскрытие окон в фоторезисте для
   создания охранных областей р-
   типа под полевым окислом в p-
   кармане
22 Ионное легирование бором.                  E = 20 кэВ
   Формирование охранных областей           D = 10 мкКл/см2
    р – типа.
23 Удаление фоторезиста                     «КАРО»
24 Химическая обработка                 «КАРО», «ПА»
25 Окисление                                Т=950°С,             dx=0,85 мкм
   (Формирование полевого окисла)         в атмосфере
                                            О2 + Н2 О
26 Удаление Si3N4                            H3PO4
27 Стравливание SiO2                       Буферный
                                           травитель
28 Химическая обработка                «КАРО», «ПА»
29 Окисление                                Т=950°С,             dx=0,05 мкм
                                          в атмосфере
                                            О2 + Н2 О
30 Ионное легирование бором.               E = 40 кэВ
   Подгонка пороговых напряжений       D = 0,08 мкКл/см2
   МДП транзисторов n– и р– типа.
31 Химическая обработка                «КАРО», «ПА»
32 Фотолитография 5.
    Вскрытие окон в фоторезисте для
   создания областей n – типа
   встроенного канала в транзисторах
   n-типа.
33 Ионное легирование фосфором.               E = 40 кэВ
   Формирование охранных областей           D = 10 мкКл/см2
   р – типа.
34 Удаление фоторезиста                        «КАРО»
35 Химическая обработка                     «КАРО», «ПА»
36 Стравливание SiO2                          Буферный
                                              травитель
37 Химическая обработка                     «КАРО», «ПА»
38 Окисление                                   Т=950°С,       dx = 0,030 мкм
                                             в атмосфере
                                              сухого О2.
39 Осаждение поликристаллического              Т=600°С           dx=0,5 мкм
   кремния
40 Диффузия фосфора                            Т=900°С          ρs =20 Ом /
41 Фотолитография 6.
                                       72

Страницы