Процессы микро- и нанотехнологий. Ч. 2. Шутов Д.А - 71 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

ИГХТУ | Иваново

Составители: 

Рубрика: 

71
Технология изготовления КМДП структур с поликремниевыми затворами и
диэлектрической изоляцией
В таблице 2 представлена маршрутная карта КМДП с поликремниевым
затвором и диэлектрической LOCOS изоляцией на кремниевой подложке p – типа.
На рисунке 3 показано поперечное сечение МДП структур транзисторов n и p - типа,
на рисунке 4 – электрическая схема и топология КМДП инвертора,
спроектированного по этому технологическому процессу.
Таблица 2
Маршрутная карта технологического процесса КМДП ИМС с поликремниевым
затвором и диэлектрической LOCOS изоляцией на кремниевой подложке p – типа
№
Наименование операции Режимы,
реактивы
Параметры слоев,
пластин
1 Составление и маркировка партии
пластин
КДБ 12 <100>
2 Окисление
Т=950°С,
в атмосфере
О
2
+ Н
2
О
d
x
=0,036 мкм
3
Фотолитография 1.
Вскрытие окон в фоторезисте под n-
карманы
4 Ионное легирование фосфором.
Формирование n - карманов.
E = 90 кэВ
D = 0,9 мкКл/см
2
5 Удаление фоторезиста «КАРО»
6 Химическая обработка «КАРО», «ПА»
7
Фотолитография 2.
Вскрытие окон в фоторезисте под p-
карманы
8 Ионное легирование бором.
Формирование p - карманов.
E = 60 кэВ
D = 0,7 мкКл/см
2
9 Удаление фоторезиста «КАРО»
10 Химическая обработка «КАРО», «ПА»
11 Термообработка карманов
(Разгонка карманов фосфора и бора)
Т = 1200°
С, в
атмосфере О
2
+
Н
2
О
d
x
= 0,3 мкм,
x
j
= 5 мкм
ρ
s
= 1.2 Ом /
(n-карман)
12 Стравливание SiO
2
Буферный
травитель
13 Химическая обработка КАРО, ПА
14 Окисление
Т=950°С,
в атмосфере
О
2
+ Н
2
О
d
x
=0,036 мкм
15 Осаждение Si
3
N
4
Т=600°С
d
x
=0,13 мкм
16 Окисление
Т=950°С,
в атмосфере
О
2
+ Н
2
О
d
x
=0,036 мкм
17
Фотолитография 3.
Вскрытие окон в нитридной маске
для создания активных областей р- и
n- типа 
     Технология изготовления КМДП структур с поликремниевыми затворами и
                            диэлектрической изоляцией
       В таблице 2 представлена маршрутная карта КМДП с поликремниевым
затвором и диэлектрической LOCOS изоляцией на кремниевой подложке p – типа.
На рисунке 3 показано поперечное сечение МДП структур транзисторов n и p - типа,
на рисунке 4 – электрическая схема и топология КМДП инвертора,
спроектированного по этому технологическому процессу.
                                                                         Таблица 2
   Маршрутная карта технологического процесса КМДП ИМС с поликремниевым
  затвором и диэлектрической LOCOS изоляцией на кремниевой подложке p – типа
 №         Наименование операции               Режимы,      Параметры слоев,
                                               реактивы          пластин
1 Составление и маркировка партии                             КДБ 12 <100>
     пластин
2 Окисление                                    Т=950°С,       dx=0,036 мкм
                                             в атмосфере
                                               О2 + Н2 О
3 Фотолитография 1.
     Вскрытие окон в фоторезисте под n-
     карманы
4 Ионное легирование фосфором.                E = 90 кэВ
     Формирование n - карманов.           D = 0,9 мкКл/см2
5 Удаление фоторезиста                   «КАРО»
6 Химическая обработка                   «КАРО», «ПА»
7 Фотолитография 2.
     Вскрытие окон в фоторезисте под p-
     карманы
8 Ионное легирование бором.                   E = 60 кэВ
     Формирование p - карманов.           D = 0,7 мкКл/см2
9 Удаление фоторезиста                   «КАРО»
10 Химическая обработка                  «КАРО», «ПА»
11 Термообработка карманов               Т = 1200°С, в dx = 0,3 мкм,
     (Разгонка карманов фосфора и бора) атмосфере О2 + xj = 5 мкм
                                         Н2 О              ρs = 1.2 Ом /
                                                           (n-карман)
12 Стравливание SiO2                     Буферный
                                         травитель
13 Химическая обработка                  КАРО, ПА
14 Окисление                                   Т=950°С,       dx=0,036 мкм
                                             в атмосфере
                                               О2 + Н2 О
15 Осаждение Si3N4                             Т=600°С         dx=0,13 мкм
16 Окисление                                   Т=950°С,       dx=0,036 мкм
                                             в атмосфере
                                               О2 + Н2 О
17 Фотолитография 3.
      Вскрытие окон в нитридной маске
     для создания активных областей р- и
     n- типа
                                        71

Страницы