Процессы микро- и нанотехнологий. Ч. 2. Шутов Д.А - 69 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

ИГХТУ | Иваново

Составители: 

Рубрика: 

69
пассивации из ФСС над контрактными площадками.
Последними технологическими операциями по пластинам являются контроль
электрических параметров пластины по специальным тестовым структурам на
соответствие требованиям спецификации на КМДП процесс и 100% контроль
функционирования кристаллов.
После разделения пластин на кристаллы, годные по функционированию
кристаллы проходят операции сборки в корпус для получения микросхем.
Рис.1. Поперечные сечения структуры n-канального и p-канального транзисторов,
изготовленных по КМДП технологическому процессу с алюминиевым затворам и
изоляцией обратно смещенным p -n переходом на кремниевой подложке n – типа.
Н1 - Глубина p-кармана в n-подложке.
Н2 - Толщина межслойной изоляции металл/подложка, металл/n+, металл/p+.
Н3 - Толщина межслойной изоляции металл/n+, металл/p+.
Н4 - Толщина затворного окисла.
Н5 - Глубина p+ исток/стоковых областей p- канальных транзисторов и p+ охранных
колец вокруг n-канальных транзисторов.
Н6 - Глубина n+ исток/стоковых областей n- канальных транзисторов и n+ охранных
колец вокруг p-канальных транзисторов.
H7 - Ширина области повышенной концентрации примеси в поверхностном канале n-
канальных транзисторов.
H8 - Глубина p-n перехода в углубленном канале p-канальных транзисторов.
Н9 - Толщина алюминиевой разводки 
пассивации из ФСС над контрактными площадками.
      Последними технологическими операциями по пластинам являются контроль
электрических параметров пластины по специальным тестовым структурам на
соответствие требованиям спецификации на КМДП процесс и 100% контроль
функционирования кристаллов.
      После разделения пластин на кристаллы, годные по функционированию
кристаллы проходят операции сборки в корпус для получения микросхем.




       Рис.1. Поперечные сечения структуры n-канального и p-канального транзисторов,
       изготовленных по КМДП технологическому процессу с алюминиевым затворам и
       изоляцией обратно смещенным p -n переходом на кремниевой подложке n – типа.


Н1 -      Глубина p-кармана в n-подложке.
Н2 -      Толщина межслойной изоляции металл/подложка, металл/n+, металл/p+.
Н3 -      Толщина межслойной изоляции металл/n+, металл/p+.
Н4 -      Толщина затворного окисла.
Н5 -      Глубина p+ исток/стоковых областей p- канальных транзисторов и p+ охранных
          колец вокруг n-канальных транзисторов.
Н6 -      Глубина n+ исток/стоковых областей n- канальных транзисторов и n+ охранных
          колец вокруг p-канальных транзисторов.
H7 -      Ширина области повышенной концентрации примеси в поверхностном канале n-
          канальных транзисторов.
H8 -      Глубина p-n перехода в углубленном канале p-канальных транзисторов.
Н9 -      Толщина алюминиевой разводки




                                            69

Страницы