Процессы микро- и нанотехнологий. Ч. 2. Шутов Д.А - 67 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

ИГХТУ | Иваново

Составители: 

Рубрика: 

67
11 Удаление фоторезиста «ПХ» + «КАРО»
12 Химическая обработка «КАРО», «ПА»
13
Фотолитография 3.
Создание маски для ионного
легирования областей p+ исток/сток
и p+ изоляции
x
j
= 1,0 мкм
14 Травление SiO
2
Буферный
травитель
15 Ионное легирование бором.
Формирование n+ исток/сток.
E = 60 кэВ
D = 700 мкКл/см
2
16 Удаление фоторезиста «ПХ» + «КАРО»
17 Химическая обработка «КАРО», «ПА»
18
Фотолитография 4.
Вскрытие окон для создания
областей затворного окисла МДП
транзисторов р - и n - типа
19 Травление SiO
2
Буферный
травитель
20 Ионное легирование бором.
Подгонка пороговых напряжений
МДП транзисторов р - и n - типа
E = 40 кэВ
D = 0.06 мкКл/см
2
21 Удаление фоторезиста «КАРО»
22 Химическая обработка «КАРО», «ПА»
23 Окисление
Т=950°С,
в атмосфере
О
2
+ Н
2
О
d
x
= 0,1 мкм
24
Фотолитография 5.
Создание маски для травления
контактных окон и n+, p+
исток/стокам и n+, p+ изоляции
25 Травление SiO
2
Буферный
травитель
26 Удаление фоторезиста «КАРО»
27 Химическая обработка «КАРО», «ПА»
28 Стабилизация
Т=950°С
d
x
= 0,08 мкм
29 Освежение контактных окон
30 Напыление металла Al d
x
= 1,2 мкм
31
Фотолитография 6.
Создание разводки из металла.
32 Травление металла
33 Удаление фоторезиста
34 Химическая обработка
35 Осаждение ФСС
Т=350°С
d
x
= 0,90 мкм
36
Фотолитография 7.
Создание контактных окон в
пассивации.
37 Травление ФСС
38 Удаление фоторезиста 
11 Удаление фоторезиста                      «ПХ» + «КАРО»
12 Химическая обработка                       «КАРО», «ПА»
13 Фотолитография 3.                                         xj = 1,0 мкм
   Создание маски для ионного
   легирования областей p+ исток/сток
   и p+ изоляции
14 Травление SiO2                           Буферный
                                            травитель
15 Ионное легирование бором.                E = 60 кэВ
   Формирование n+ исток/сток.           D = 700 мкКл/см2
16 Удаление фоторезиста                  «ПХ» + «КАРО»
17 Химическая обработка                   «КАРО», «ПА»
18 Фотолитография 4.
   Вскрытие окон для создания
   областей затворного окисла МДП
   транзисторов р - и n - типа
19 Травление SiO2                            Буферный
                                             травитель
20 Ионное легирование бором.                E = 40 кэВ
   Подгонка пороговых напряжений         D = 0.06 мкКл/см2
   МДП транзисторов р - и n - типа
21 Удаление фоторезиста                 «КАРО»
22 Химическая обработка                 «КАРО», «ПА»
23 Окисление                                Т=950°С,         dx = 0,1 мкм
                                          в атмосфере
                                            О2 + Н2 О
24 Фотолитография 5.
   Создание маски для травления
   контактных окон и n+, p+
   исток/стокам и n+, p+ изоляции
25 Травление SiO2                              Буферный
                                               травитель
26   Удаление фоторезиста                       «КАРО»
27   Химическая обработка                    «КАРО», «ПА»
28   Стабилизация                               Т=950°С      dx = 0,08 мкм
29   Освежение контактных окон
30   Напыление металла                            Al         dx = 1,2 мкм
31   Фотолитография 6.
     Создание разводки из металла.
32   Травление металла
33   Удаление фоторезиста
34   Химическая обработка
35   Осаждение ФСС                              Т=350°С      dx = 0,90 мкм
36   Фотолитография 7.
     Создание контактных окон в
     пассивации.
37   Травление ФСС
38   Удаление фоторезиста

                                        67

Страницы