Процессы микро- и нанотехнологий. Ч. 2. Шутов Д.А - 65 стр.

        - с алюминиевым затвором,
        - молибденовым,
        - поликремниевым.
        По способу изоляции элементов различают МДП - структуры с обратно
 смещенным p-n переходом и МДП структуры с диэлектрической изоляцией.
        По характеристическому размеру (норме проектирования) МДП структуры
 разделяют на структуры, выполненные с нормой проектирования, например, 5.0
 мкм, 2.0 мкм, 1.2 мкм, 0,8 мкм, 0.6 мкм, 0.35 мкм, 0.25 мкм. Как правило,
 характеристический размер совпадает с минимальной длиной канала МДП
 транзисторов.
        МДП - структуры разделяют по количеству проводящих слоев и их
 назначению. Например, в МДП - процессе с двумя слоями поликремния в первом
 уровне поликристаллического кремния могут выполняться нижние обкладки
 конденсатора, а во втором – затворы транзисторов и верхние обкладки конденсатора.
 Для разводки и коммутации МДП - структур могут использоваться один, два, три,
 пять или шесть слоев металла.
        МДП - структуры разделяют также по величине рабочего напряжения,
 соответственно, на структуры с напряжением 40В, 25В, 15В, 9В, 5В, 3В, 1,5В.
        Название технологии изготовления МДП - структур включает:
        - тип МДП структуры: n-МДП, p-МДП, КМДП;
        - уровень проектных норм (характеристический размер);
        - тип проводимости материала подложки, для КМДП структур - тип
 проводимости кармана в подложке;
        - материал затвора;
        - количество и материал слоев коммутации и разводки;
        - рабочее напряжение МДП структур;
        - вид изоляции элементов.
        В данной лабораторной работе будут рассмотрены две технологии
 изготовления:
1. 5,0 мкм КМДП с p-карманом, с алюминиевыми затворами и изоляцией обратно
    смещенным p-n переходом на кремниевой подложке n – типа, рабочее напряжение
    9В, маршрутная карта которой приведена в таблице 11.
        Краткая характеристика процесса:
   - КМДП процесс;
   - характеристический размер 5,0 мкм;
   - подложка n-типа с p-карманом;
   - алюминиевый затвор;
   - изоляция активных элементов обратно смещенным p-n переходом;
   - затворный диэлектрик – окись кремния толщиной 800 Å;
   - n-МДП транзистор с поверхностным каналом, p-МДП транзистор с углубленным
   каналом;
   - межслойная изоляция металл/подложка, металл/n+, металл/p+ - окись кремния;
   - коммутация и разводка – один уровень металла из слоя алюминия;
   - пассивация слоем ФСС ( фосфорно – силикатное стекло);
   - рабочее напряжение 9 V.
2. КМДП с поликремниевыми затворами и диэлектрической изоляцией на
    кремниевой подложке p – типа, маршрутная карта которой сведена в таблице 12.
        Краткая характеристика процесса:
   - КМДП процесс;
   - характеристический размер 1,5 мкм;
                                        65