Процессы микро- и нанотехнологий. Ч. 2. Шутов Д.А - 66 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

ИГХТУ | Иваново

Составители: 

Рубрика: 

66
- подложка p-типа с n-карманом;
- затвор из поликристаллического кремния;
- изоляция активных элементов LOCOS;
- затворный диэлектрик – окись кремния толщиной 300 Å;
- n-МДП транзистор с поверхностным каналом, p-МДП транзистор с углубленным
каналом;
- межслойная изоляция металл/подложка, металл/n+, металл/p+ - окись кремния и
ФСС;
- коммутация и разводка – один уровень поликремния, один уровень металла из
слоя алюминия с кремнием;
- пассивация слоем оксинитрида кремния;
- рабочее напряжение 3В.
Технология изготовления МДП - структур с алюминиевым затвором и изоляцией p-n
переходом
В таблице 1 представлена маршрутная карта КМДП с алюминиевым затворам
и изоляцией обратно смещенным p-n переходом на кремниевой подложке n – типа.
На рисунке 1 показано поперечное сечение структур МДП транзисторов n- и p- типа,
на рисунке 2 – электрическая схема и топология КМДП инвертора,
спроектированного по этому технологическому процессу.
Таблица 1.
Маршрутная карта КМДП с алюминиевым затворам и изоляцией обратно
смещенным p-n переходом на кремниевой подложке n – типа.
№
Наименование операции Режимы,
реактивы
Параметры слоев,
пластин
1 Составление и маркировка партии
пластин
КЭФ 4,5 <100>
2 Окисление
Т=950°С,
в атмосфере
О
2
+ Н
2
О
d
x
= 0,036 мкм
3
Фотолитография 1.
Вскрытие окон в фоторезисте под p-
карманы
4 Ионное легирование бором.
Формирование p – карманов.
E = 60 кэВ
D = 0,65 мкКл/см
2
5 Удаление фоторезиста «КАРО»
6 Химическая обработка «КАРО», «ПА»
7 Термообработка карманов
( разгонка кармана)
Т=1200°С,
в атмосфере
О
2
+ Н
2
О
d
x
= 0,6 мкм,
x
j
= 10 мкм
ρ
s
= 0,8 Ом /
(p-карман)
8
Фотолитография 2.
Создание маски для ионного
легирования областей n+ исток/сток
и n+ изоляции
9 Травление SiO
2
Буферный
травитель
10 Ионное легирование фосфором.
Формирование n+ исток/сток
E = 40 кэВ
D = 1000 мкКл/см
2
x
j
= 0,8 мкм 
 - подложка p-типа с n-карманом;
 - затвор из поликристаллического кремния;
 - изоляция активных элементов LOCOS;
 - затворный диэлектрик – окись кремния толщиной 300 Å;
 - n-МДП транзистор с поверхностным каналом, p-МДП транзистор с углубленным
 каналом;
 - межслойная изоляция металл/подложка, металл/n+, металл/p+ - окись кремния и
 ФСС;
 - коммутация и разводка – один уровень поликремния, один уровень металла из
 слоя алюминия с кремнием;
 - пассивация слоем оксинитрида кремния;
 - рабочее напряжение 3В.

Технология изготовления МДП - структур с алюминиевым затвором и изоляцией p-n
                                   переходом
       В таблице 1 представлена маршрутная карта КМДП с алюминиевым затворам
и изоляцией обратно смещенным p-n переходом на кремниевой подложке n – типа.
На рисунке 1 показано поперечное сечение структур МДП транзисторов n- и p- типа,
на рисунке 2 – электрическая схема и топология КМДП инвертора,
спроектированного по этому технологическому процессу.
                                                                      Таблица 1.
      Маршрутная карта КМДП с алюминиевым затворам и изоляцией обратно
            смещенным p-n переходом на кремниевой подложке n – типа.
№          Наименование операции             Режимы,      Параметры слоев,
                                             реактивы          пластин
1 Составление и маркировка партии                          КЭФ 4,5 <100>
    пластин
2 Окисление                                  Т=950°С,      dx = 0,036 мкм
                                           в атмосфере
                                             О2 + Н2 О
3 Фотолитография 1.
    Вскрытие окон в фоторезисте под p-
    карманы
4 Ионное легирование бором.                 E = 60 кэВ
    Формирование p – карманов.          D = 0,65 мкКл/см2
5 Удаление фоторезиста                       «КАРО»
6 Химическая обработка                  «КАРО», «ПА»
7 Термообработка карманов                   Т=1200°С,       dx = 0,6 мкм,
     ( разгонка кармана)                   в атмосфере       xj = 10 мкм
                                             О2 + Н2 О     ρs = 0,8 Ом /
                                                             (p-карман)
8 Фотолитография 2.
    Создание маски для ионного
    легирования областей n+ исток/сток
    и n+ изоляции
9 Травление SiO2                            Буферный
                                            травитель
10 Ионное легирование фосфором.             E = 40 кэВ      xj = 0,8 мкм
                                                        2
    Формирование n+ исток/сток          D = 1000 мкКл/см

                                       66

Страницы