Процессы микро- и нанотехнологий. Ч. 2. Шутов Д.А - 68 стр.

39 Химическая обработка
40 Вжигание металла                            Т=450°С
41 Контроль электрических параметров                             5 точек на
     пластин                                                     пластине
42 100 % контроль функционирования
     кристаллов на пластине
43 Разделение (скрайбирование)
     кристаллов на пластине
44 Посадка кристалла на основание
     корпуса
45 Термокомпрессионная приварка
     выводов
46 Герметизация корпуса
47 Маркировка микросхем
48 100 % контроль функционирования
     кристаллов на пластине
     (приемосдаточные испытания)
49 Упаковка микросхем
       Анализ технологии изготовления целесообразно начать с рассмотрения
поперечного сечения структуры КМДП транзисторов и топологии КМДП инвертора.
В структуре n- и p- канальных транзисторов выделены десять элементов: глубины p-
n переходов, p - кармана, n+ и p+ областей, толщины затворного окисла, межслойной
изоляции, алюминия, пассивации, размеры поверхностного и углубленного каналов
КМДП транзисторов. Следует обратить внимание на изоляцию активных элементов
– n- p- канальных транзисторов друг от друга обратно смещенными p-n переходами
охранных колец n+ и p+ вокруг p- и n - канальных транзисторов соответственно.
       Технологический процесс начинается с создания в подложке n-типа p-кармана
для транзисторов n-типа (фотолитография 1). После разгонки кармана и
одновременного      создания    межслойной      изоляции   из   окисла      кремния
металл/подложка, металл/n+, металл/p+ по фотолитографиям 2 и 3 выполняется
топология n+ исток-стоковых областей n-МДП транзисторов и n+ охранных колец
вокруг p-МДП транзисторов и p+ исток-стоковых областей p-МДП транзисторов и
p+ охранных колец вокруг n-МДП транзисторов. Вскрываются по маскам окна в
окисле межслойной изоляции и проводятся легирования n+ и p+ областей.
       По фотолитографии 4 вскрываются окна в окисле межслойной изоляции под
области каналов МДП транзисторов. До удаления фоторезиста проводится ионное
легирование бором для подгонки пороговых напряжений транзисторов n- и p- типов.
Этим легированием создается структура поверхностного канала в n-МДП и
углубленного канала в p-МДП транзисторах.
       Открытые на 2, 3 и 4 фотолитографиях окна окисляются для создания
межслойной изоляции металл/n+, металл/p+ и затворного окисла.
       По фотолитографии 5 над областями n+ и p+ исток-стоков и охранных колец
в межслойной изоляции металл/n+, металл/p+ вскрываются контактные окна.
       Перед напылением алюминия выполняется термическая операция диффузии
фосфора для стабилизации поверхности затворного окисла. Образовавшийся в
затворном окисле тонкий слой ФСС непосредственно перед напылением металла
удаляется.
       Завершается      технологический       процесс    изготовления       пластин
фотолитографией 6 и 7 создания алюминиевой разводки и вскрытия окон в слое

                                        68