Процессы микро- и нанотехнологий. Ч. 2. Шутов Д.А - 74 стр.

66 Фотолитография 10.
    Создание разводки из металла.
67 РИТ металла
68 Удаление фоторезиста                   ПХ удаление
69 Химическая обработка                       ЕКС
70 Осаждение SiO2                           Т=200°С           dx=0,20 мкм
71 Осаждение SixNyOz                        Т=200°С           dx=0,80 мкм
72 Фотолитография 11.
    Создание контактных окон в
    пассивации.
73 РИТ пассивации
74 Удаление фоторезиста                   ПХ удаление
75 Химическая обработка                       ЕКС
76 Вжигание металла                         Т=400°С
77 Контроль электрических параметров                           5 точек на
    пластин                                                    пластине
78 100 % контроль функционирования
    кристаллов на пластине
79 Разделение (скрайбирование)
    кристаллов на пластине
80 Посадка кристалла на основание
    кристаллодержателя в плате
81 Термокомпрессионная приварка
    выводов
82 Герметизация кристаллодержателя
83 100 % контроль функционирования
    плат с кристаллами
    (приемосдаточные испытания)
84 Упаковка плат
      Анализ технологии изготовления также целесообразно начать с рассмотрения
поперечного сечения структуры КМДП транзисторов и топологии КМДП инвертора.
В структуре n- и p- канальных транзисторов выделены пятнадцать элементов:
глубины p-n переходов n- и p- кармана, n+ и p+ областей, толщины затворного
окисла, поликремния, полевого окисла, межслойной изоляции, пассивации,
алюминия, размеры поверхностного и углубленного каналов КМДП транзисторов.
Следует обратить внимание на изоляцию активных элементов – n- p- канальных
транзисторов друг от друга полевым окислом (для n- канальных транзисторов –
полевым окислом с p-охраной), созданным специальным LOCOS процессом.
      Технологический процесс включает 11 фотолитографий. Он начинается с
создания в подложке p-типа n-кармана для транзисторов p-типа (1 фотолитография)
и областей повышенной концентрации бора в подложке или p-кармана для
транзисторов n-типа (2 фотолитография).
      После разгонки карманов и удаления окисных слоев начинается создание
изоляции между транзисторными структурами LOCOS процессом. По нитридной
маске, состоящей из слоя нитрида кремния на подслое окисла, выполняют 3
фотолитографию – оставляют нитрид над активными областями транзисторных
структур и удаляют нитрид в зазорах между активными областями. По 4
фотолитографии проводят легирование примесью p-типа зазоров между активными
областями транзисторов n-типа. Энергию ионного легирования бором выбирают так,
                                      74