Процессы микро- и нанотехнологий. Ч. 2. Шутов Д.А - 76 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

ИГХТУ | Иваново

Составители: 

Рубрика: 

76
Рис.3. Поперечные сечения структуры n-канального и p-канального транзисторов,
изготовленных по КМДП технологическому процессу с поликремниевым затвором и
диэлектрической LOCOS изоляцией на кремниевой подложке p – типа:
Н1 - глубина n-кармана в p-подложке;
Н2 - глубина повышенной концентрации бора в p-подложке (p-карман);
Н3 - толщина полевого (LOCOS) окисла;
Н4 - глубина p-охраны в p-подложке и p-кармане под полевым окислом;
Н5 - глубина n+ исток/стоковых областей n- канальных транзисторов и n+
областей контакта к n- карману;
Н6 - глубина p+ исток/стоковых областей p-канальных транзисторов и
p+областей контакта к p-карману и p-
подложке;
Н7 - толщина затворного окисла;
Н8 - толщина затвора и разводки из поликремния;
Н9 - толщина межслойной изоляции из окисла металл/подложка, металл/n+
металл/p+;
Н10 - толщина межслойной изоляции из ФСС металл/подложка, металл/n+
металл/p+;
Н11 - толщина алюминиевой разводки;
Н12 - толщина пассивации из окисла;
Н13 - толщина пассивации из оксинитрида;
H14 - ширина области повышенной концентрации примеси в поверхностном
канале n-анальных транзисторов;
H15 - глубина p-n перехода в углубленном канале p-анальных транзисторов. 
Рис.3. Поперечные сечения структуры n-канального и p-канального транзисторов,
изготовленных по КМДП технологическому процессу с поликремниевым затвором и
диэлектрической LOCOS изоляцией на кремниевой подложке p – типа:
Н1 -    глубина n-кармана в p-подложке;
Н2 -    глубина повышенной концентрации бора в p-подложке (p-карман);
Н3 -    толщина полевого (LOCOS) окисла;
Н4 -    глубина p-охраны в p-подложке и p-кармане под полевым окислом;
Н5 -    глубина n+ исток/стоковых областей n- канальных транзисторов и n+
        областей контакта к n- карману;
Н6 -    глубина p+ исток/стоковых областей p-канальных транзисторов и
        p+областей контакта к p-карману и p-
        подложке;
Н7 -    толщина затворного окисла;
Н8 -    толщина затвора и разводки из поликремния;
Н9 -    толщина межслойной изоляции из окисла металл/подложка, металл/n+
        металл/p+;
Н10 - толщина межслойной изоляции из ФСС металл/подложка, металл/n+
        металл/p+;
Н11 - толщина алюминиевой разводки;
Н12 - толщина пассивации из окисла;
Н13 - толщина пассивации из оксинитрида;
H14 - ширина области повышенной концентрации примеси в поверхностном
        канале n-анальных транзисторов;
H15 - глубина p-n перехода в углубленном канале p-анальных транзисторов.
                                     76

Страницы