Процессы микро- и нанотехнологий. Ч. 2. Шутов Д.А - 86 стр.

                 Основные этапы планарно-эпитаксиальной технологии
      Особенностью планарно-эпитаксиальной технологии, как отмечалось ранее,
является повторение ряда однотипных групповых технологических процессов, от
количества и последовательности выполнения которых зависит степень сложности
конкретной ИС. Создание структуры кремниевой ИС на биполярных транзисторах с
изоляцией элементов обратносмещенными p-n переходами представляет собой
простейший     вариант    реализации    планарно-эпитаксиальной      технологии,
используемой для производства полупроводниковых ИС малой и средней степени
интеграции и реже - БИС.
      Основные этапы планарно-эпитаксиальной технологии включают следующие
технологические процессы: подготовка поверхности пластин к выполнению
конкретной    технологической     операции:   окисление      пластин    кремния,
фотолитография, диффузия примесей в кремний, а для БИС может применяться
сочетание диффузии (диффузионного легирования) и ионного легирования кремния,
эпитаксиальное наращивание кремния, формирование одного или нескольких слоев
металлизации, нанесение диэлектрических покрытий (см. рис. 1 и 2).
      Подготовка поверхности пластин (очистка) в планарно-эпитаксиальной
технологии осуществляется с целью удаления различного вида загрязнений,
вносимых из производственной и технологических сред при изготовлении ИС. От
степени чистоты поверхности зависит качество выполнения всех операций
технологического цикла, параметры и выход годных изделий, а также их
эксплуатационная надежность. Поэтому очистка поверхности пластин - наиболее
многократно повторяющийся процесс, обеспечивающий технологически чистую
поверхность с содержанием остаточных загрязнений не более 10-7-10-9 г/см2 при
учете требований к чистоте поверхности, которые неодинаковы на разных этапах
производственного процесса изготовления ИС. Чтобы обеспечить эффективность и
экономичность процесса очистки, надо знать вид и степень загрязнения
поверхности, характер влияния загрязнений на объект производства, требования к
чистоте поверхности, механизмы процессов очистки в различных очистительных
средах, методы контроля чистоты поверхности, а также производительность
оборудования для очистки.
      Вид и степень загрязнения поверхности пластин обычно определяется
технологическими операциями, предшествующими очистке, а требования к чистоте
поверхности - операциями, выполняемыми вслед за ней. Последовательность
очистительных операций выбирается в зависимости от типа загрязнений с учетом
обеспечения наиболее полного их удаления и избежания повторного их осаждения
на очищенную поверхность. Например, если на поверхности имеются молекулярные
загрязнения типа органических жиров, остатков фоторезиста и др., придающих
поверхности гидрофобные свойства, то их удаляют при жидкостной химической
обработке в первую очередь, иначе они будут препятствовать последующей стадии
очистки от ионных и атомарных примесей. В производстве полупроводниковых ИС
оптимально сочетается использование очистительных процессов в жидких, газовых
и плазменных технологических средах, при этом механизмы процессов удаления
загрязнений могут быть физическими (механическим удалением), химическими
(удаление переводом загрязнения в состояние растворимых либо газообразных
соединений с помощью химических реакций при непрерывном удалении этих
соединений из технологических сред), а также комбинированными (присутствуют
физический и механический механизмы удаления загрязнений), например, при
плазмохимической обработке. Материалы для химического и других способов
обработки приведены в приложении 5 описания данной работы (см. табл. П.1. и
                                       86