Процессы микро- и нанотехнологий. Ч. 2. Шутов Д.А - 84 стр.

      б) взять пластину (кристалл) с последней операции технологического
процесса и пользуясь принципиальной схемой исследуемой ИМС (см рис. 3 или 4)
найти измеряемый элемент по топологии, начав поиск от внешней контактной
площадки кристалла;
      в) для каждой области элемента МДП ИМС определить два конструктивных
параметра: длину и ширину в микрометрах и занести в форму таблицы 1.
      6. Нарисовать в форме таблицы 2 эскиз (эскизы ) измеряемых элементов без
соблюдения масштаба, но с указанием областей и выводов.
      7. Показать преподавателю результаты выполнения работы и оформить отчет
по лабораторной работе в соответствии с требованиями раздела «Требования к
отчету».
      Контрольные вопросы
      1. Назовите последовательность основных технологических операций
изготовления КМДП структур с алюминиевыми затворами.
      2. Нарисуйте сечение комплементарной пары МДП транзисторов с
алюминиевым затвором и изоляцией p-n переходом и укажите области истока, стока,
затвора и канала, изолирующего перехода.
      3. Назовите последовательность основных технологических операций
изготовления КМДП структур с поликремниевыми затворами.
      4. Нарисуйте сечение комплементарной пары МДП транзисторов с
диэлектрической изоляцией и поликремниевыми затворами и укажите области стока,
истока, затвора и канала, диэлектрической LOCOS изоляции
      5. Расскажите методику определения операции, с которой снят образец при
визуальном осмотре.
      6. Как произвести оптические измерения конструктивных параметров МДП -
структур?
      7. Как выращивается тонкий подзатворный окисел?
      8. Для чего в МДП - структурах нужен толстый окисел? Как его выращивают?
      9. Почему для межслойной изоляции и пассивации используют
фосфорносиликатное стекло?
      10. Зачем при изготовлении МДП транзисторов p-типа необходимы две
структуры углубленного канала?
      11. Какие материалы используют для получения затворов МДП транзисторов?
Особенности поликремниевых затворов.
      12. Почему в КМДП структур выполняют операции подгонки пороговых
напряжений?
      13. Зачем делают p-охрану под полевой окисел в LOCOS процессе?
      14. Почему производят легирование поликремниевых затворов?
      15. Количество и назначение операций окисления (влажного и сухого) при
производстве КМДП структур с алюминиевыми затворами.
      16. Количество и назначение операций окисления (влажного и сухого) при
производстве КМДП структур с поликремниевыми затворами.
      17.Количество и назначение операций ионного легирования и диффузии при
производстве КМДП структур с алюминиевыми затворами.
      18.Количество и назначение операций ионного легирования и диффузии при
производстве КМДП структур с поликремниевыми затворами.
      19. Количество и назначения операций фотолитографии при производстве
КМДП структур с алюминиевыми затворами.
      20. Количество и назначение операций фотолитографии при производстве
КМДП структур с поликремниевыми затворами.
                                      84