Процессы микро- и нанотехнологий. Ч. 2. Шутов Д.А - 85 стр.

                 Лабораторная работа 12
      Изучение планарно-эпитаксиальной технологии
      изготовления полупроводниковых микросхем на
                биполярных транзисторах
      Цель работы
   1. Изучить технологические операции производства полупроводниковых
      микросхем.
   2. Изучить последовательность технологических операций при изготовлении
      полупроводниковых микросхем на биполярных транзисторах.
   3. Ознакомиться с оборудованием и материалами, применяемыми в
      производстве полупроводниковых микросхем.
   4. Ознакомиться с методами измерения параметров слоев полупроводниковых
      микросхем.
   5. Определить глубину залегания диффузионного слоя.
      Теоретические сведения
      Общая технологическая схема процессов производства полупроводниковых
интегральных    микросхем     (ИС)   включает    подготовительные   процессы,
формирование структуры ИС, в том числе межсоединений ее элементов, и
заключительные процессы.
      В комплекс подготовительных процессов входит изготовление требуемого
комплекта фотошаблонов, а также ряд подготовительных операций: подготовка
полупроводниковых подложек (пластин), корпусов ИС и др.
      Формирование структуры полупроводниковой ИС происходит по планарно-
эпитаксиальной технологии, заключающейся в создании элементов ИС в
приповерхностных слоях полупроводниковой пластины с одной (рабочей) стороны с
использованием эпитаксиального наращивания тонкого слоя кремния, при
групповой обработке пластин. Причем, отдельные процессы групповой обработки,
например, фотолитография, диффузия примесей, окисление, очистка поверхности
пластины, носят циклический характер, т.е. обычно многократно повторяется при
синтезе структуры полупроводниковых ИС и каждая последовательность процессов
формирует определенную часть структуры ИС. Изменение количества таких
последовательностей дает возможность получать полупроводниковые ИС различной
сложности. При этом физико-химическая сущность повторяющихся процессов часто
остается неизменной, а меняются только технологические режимы, фотошаблоны,
используемые для фотолитографии, и некоторые материалы технологических сред.
Под технологической средой следует понимать совокупность технологических
материалов и воздействий, обеспечивающих требуемую реализацию синтеза объекта
производства. Формирование структуры ИС заканчивается получением
межсоединений элементов и защитой (кроме выводных контактных площадок)
полупроводниковой ИС пассивирующим покрытием.
      Заключительные процессы обычно представляют собой совокупность
индивидуальных     обработок    объекта    производства,  включая    контроль
функциональных параметров ИС и разбраковку кристаллов, разделение пластин на
кристаллы, сборку и монтаж кристаллов в корпусах, герметизацию, выходной
контроль, механические и климатические испытания, покраску корпусов ИС (при
необходимости), маркировку, лакировку (при необходимости) и упаковку готовых
ИС.


                                     85