Процессы микро- и нанотехнологий. Ч. 1. Шутов Д.А - 20 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

ИГХТУ | Иваново

Составители: 

Рубрика: 

20
фоторезистом завески защищают металлизированные отверстия от воздействия
травящего раствора в процессе травления.
В этом процессе используются свойства пленочного фоторезиста
наслаиваться на сверленые подложки без попадания в отверстия и образовывать
защитные завески над металлизированными отверстиями.
3). Третий вариант (рис.3). Применяется, в основном, при получении
верхних слоев МПП путем вытравливания проводящего рисунка по
металлорезисту, осажденному на поверхность медных проводников,
сформированных в рельефе пленочного фоторезиста, и на стенки
металлизированных отверстий.
Как и во втором варианте, пленочный фоторезист наслаивается на заготовки
фольгированного диэлектрика, прошедшие предварительно операции сверления
отверстий, металлизации медью стенок отверстий и всей поверхности фольги. В
этом процессе защитный рельеф получают на местах поверхности
металлизированной фольги, подлежащей последующему удалению травлением.
Проводящий рисунок формируется последовательным осаждением меди и
металлорезиста по рисунку освобождений в рельефе пленочного фоторезиста и на
поверхность стенок отверстий. После удаления рельефа пленочного фоторезиста
незащищенные слои меди вытравливаются.
Профиль поперечного сечения проводников, сформированный травлением
по защитному изображению в фоторезисте, имеет форму трапеции, расположенной
большим основанием на поверхности диэлектрика.
Заготовка фольгированного
диэлектрика
Получени
е защитного рисунка в СПФ
(наслаивание, экспонирование,
проявление)
Травление медной фольги в окнах
рисунка из СПФ
Удаление защитного рисунка из СПФ–
слой готов
Рис.1. Изготовления слоев МПП субтрактивным методом с использованием сухого
пленочного фоторезиста (СПФ). 
фоторезистом завески защищают металлизированные отверстия от воздействия
травящего раствора в процессе травления.
      В этом процессе используются свойства пленочного фоторезиста
наслаиваться на сверленые подложки без попадания в отверстия и образовывать
защитные завески над металлизированными отверстиями.
      3). Третий вариант (рис.3). Применяется, в основном, при получении
верхних слоев МПП путем вытравливания проводящего рисунка по
металлорезисту,    осажденному     на    поверхность  медных     проводников,
сформированных в рельефе пленочного фоторезиста, и на стенки
металлизированных отверстий.
      Как и во втором варианте, пленочный фоторезист наслаивается на заготовки
фольгированного диэлектрика, прошедшие предварительно операции сверления
отверстий, металлизации медью стенок отверстий и всей поверхности фольги. В
этом процессе защитный рельеф получают на местах поверхности
металлизированной фольги, подлежащей последующему удалению травлением.
      Проводящий рисунок формируется последовательным осаждением меди и
металлорезиста по рисунку освобождений в рельефе пленочного фоторезиста и на
поверхность стенок отверстий. После удаления рельефа пленочного фоторезиста
незащищенные слои меди вытравливаются.
      Профиль поперечного сечения проводников, сформированный травлением
по защитному изображению в фоторезисте, имеет форму трапеции, расположенной
большим основанием на поверхности диэлектрика.


                                               Заготовка фольгированного
                                                      диэлектрика

                                           Получение защитного рисунка в СПФ
                                              (наслаивание, экспонирование,
                                                       проявление)



                                            Травление медной фольги в окнах
                                                   рисунка из СПФ


                                       Удаление защитного рисунка из СПФ–
                                                   слой готов


Рис.1. Изготовления слоев МПП субтрактивным методом с использованием сухого
                        пленочного фоторезиста (СПФ).




                                      20

Страницы