Процессы микро- и нанотехнологий. Ч. 1. Шутов Д.А - 22 стр.

                                              Заготовки фольгированного
                                            диэлектрика с просверленными
                                                     отверстиями
                                            Химическая и предварительная
                                           электрохимическая металлизация
                                               всей поверхности и стенок
                                                       отверстий
                                           Получение защитного рисунка в
                                          СПФ (наслаивание, экспонирование,
                                                    проявление


                                            Электрохимическое осаждение
                                           сплава олово-свинец в окна СПФ


                                            Удаление защитного рисунках
                                                       СПФ


                                           Травление медной фольги в окнах
                                              рисунка из металлорезиста


     Рис.3. Изготовление слоев МПП субтрактивным позитивным методом с
                 использованием металлорезиста олово-свинец.

      Подготовка поверхностей заготовок под наслаивание пленочного
фоторезиста с целью удаления заусенцев сверленых отверстий и наростов
гальванической меди производится механической зачисткой абразивными кругами
с последующей химической обработкой в растворе персульфата аммония или
механической зачисткой водной пемзовой суспензией.
      Такие варианты подготовки обеспечивают необходимую адгезию
пленочного фоторезиста к медной поверхности подложки и химическую стойкость
защитных изображений на операциях проявления и травления. Кроме того,
механическая зачистка пемзой дает матовую однородную поверхность с низким
отражением света, обеспечивающая более однородное экспонирование
фоторезиста.
      Для получения изображений используется пленочный фоторезист СПФ-2
толщиной 60 мкм. Толщина фоторезиста диктуется требованиями целостности
защитных завесок над отверстиями на операциях проявления и травления,
проводимых разбрызгиванием растворов под давлением 1,6-2 атм. и более.
Фоторезисты толщиной менее 45 - 50 мкм на этих операциях над отверстиями
разрушаются. Так же, для обеспечения надежного «тентинга», диаметр контактной
площадки должен быть в 1,4 раза больше диаметра отверстия. Минимальный
поясок изображения контактной площадки (ширина между краем контактной
площадки и отверстием) должен быть не менее 0,5 мм для СПФ Ристон I и 0,7 мм
для СПФ-2.

                                     22