Процессы микро- и нанотехнологий. Ч. 1. Шутов Д.А - 23 стр.

       Травление по защитному рисунку проводится в струйной конвейерной
установке травления типа Хемкат-568 в медно-хлоридном кислом растворе при
скорости травления 35-40 мкм/мин. Время травления определяется максимальной
суммарной толщиною фольги с гальванически осажденным на поверхности фольги
медным слоем. При травлении медных слоев толщиной 70 мкм заужение
проводника за счет бокового подтравливания по отношению к размерам на
фотошаблоне составляет 50 мкм.
       Разброс значений ширины проводников составляет примерно ±15-50 мкм
при серийном изготовлении плат в заводских условиях.
       Такая точность изготовления проводников (±50 мкм) заложена в
конструкторскую документацию на платы. Следовательно, при этой технологии
получения печатных элементов в готовых слоях или платах заданной шириной,
необходимо в размеры изображений на фотошаблоне вводить величину заужения,
т.е. к номинальному значению ширины проводника прибавлять величину
заужения. Например, если ширина проводника и зазора в готовом слое должны
быть 250 мкм, то на фотошаблоне изображение ширины проводника должно быть
300 мкм, а зазора 200 мкм.
       Минимальная устойчиво воспроизводимая ширина зазора в СПФ-2
толщиною 60 мкм - 180 - 200 мкм.
       Из вышеизложенного следует, что такая субтрактивная технология имеет
ограничения по разрешению, т.е. минимально воспроизводимая ширина
проводников и зазоров порядка 200-250 мкм (при толщине проводников 50 мкм).
       Для получения логических слоев с металлизированными переходами с более
плотным печатным монтажом с шириной проводников 200 мкм и менее, например,
150 мкм и 125 мкм используется технологический процесс по субтрактивной
технологии травлением по металлорезисту (3-й вариант субтрактивной технологии)
с использованием диэлектрика СПТА-5 с тонкомерной фольгой толщиной 5-9 мкм.
       В этом случае предварительная металлизация стенок отверстий и
поверхности фольги заготовок диэлектрика производится на минимально
возможную толщину 8-10 мкм.
       Условия получения изображения в пленочном фоторезисте отличны от
условий процесса «тентинга». А именно, для получения изображений
используются пленочные фоторезисты с более высоким разрешением и
гальваностойкостью, например, СПФ Ристон I.
       Подготовка поверхности подложки под наслаивание пленочного
фоторезиста из-за небольшой толщины фольги и металлизированного слоя и во
избежание их повреждения, проводится химическим способом, обезжириванием
кашицей венской извести с последующей обработкой в 10% растворе соляной
кислоты. Фоторезист наслаивается по специально подобранному режиму: при
низкой скорости наслаивания 0,5 м/мин, низкой температуре нагрева валков
115°С±5°С, на подогретые до температуры 60-80°С заготовки. При
экспонировании изображения используются установки с точечным источником
света, обеспечивающие высококоллимированный интенсивный световой поток на
рабочую поверхность копировальной рамы, с автоматическим дозированием и
контролем световой энергии.
       Фотошаблоны-позитивы имеют резкость края изображения 3-4 мкм вместо
7-8 мкм у фотошаблонов, применяемых при получении изображений с
разрешением 200 - 250 мкм.

                                      23