Процессы микро- и нанотехнологий. Ч. 1. Шутов Д.А - 24 стр.

       Проявление изображений проводится в установках проявления - процессорах
в стабилизированном трихлорэтане.
       Для удаления следов органики с медной поверхности подложки в каналах
освобождений в рельефе пленочного фоторезиста проводится обработка в
окислителе - в 20% растворе серной кислоты в течение 2-х минут с последующей
промывкой в воде и калориферной сушкой в конвейерной струйной, после чего для
повышения гальваностойкости защитного изображения проводится световое
дубление в светокопировальных рамах по режимам экспонирования.
       Проводящий рисунок формируется в рельефе пленочного фоторезиста
последовательным гальваническим осаждением меди на толщину 40-50 мкм и
никеля на толщину 3-5 мкм или вместо никеля ПОС-61 толщиной 9 мкм.
       После удаления фоторезиста производится травление медной фольги с
металлизированным слоем суммарной толщиной 15 мкм с пробельных мест схемы.
Для этого применяется травильная установка типа Хемкат-547 с медно-аммиачным
травильным раствором.
       В варианте использования металлорезиста ПОС-61 последний удаляется в
травильном растворе Композит 603 в струйной конвейерной установке Zinn-
Stripper фирмы Шмид.
       При анализе шлифов, заужение проводников по металлорезисту никелю у
оснований составляет в среднем 30 мкм, а в узком сечении в среднем до 37 мкм; в
случае травления по сплаву ПОС-61 у оснований составляет в среднем порядка 16
мкм, а в узком сечении - в среднем 28 мкм.
       При применении в качестве металлорезиста никеля сложность процесса в
том, что слой никеля остается на поверхности проводника и несколько шире его
медной части. В этом случае заужение медного проводника нельзя учесть в
размерах на фотошаблоне по следующей причине. При увеличении ширины
изображения проводника на фотошаблонах будет увеличиваться ширина
проводников по никелевому слою и уменьшаться ширина зазора между
проводниками в готовых слоях плат.
       Поэтому применение металлорезиста сплава олово-свинец с последующим
его удалением является более технологичным процессом, чем применение
металлорезиста никеля.
       Из изложенного выше можно сделать вывод: изготовление слоев по
субтрактивной технологии с применением диэлектриков с тонкой медной фольгой
толщиной 5-9 мкм обеспечивает получение проводящего рисунка с минимальной
шириной проводников и зазоров между ними порядка 140 - 150 мкм.

      Технология формирования проводящего рисунка слоев МПП методом
ПАФОС:
      Для изготовления высокоплотных плат с шириной проводников и зазоров
100 - 125 мкм в слоях МПП используется метод ПАФОС. Это полностью
аддитивный электрохимический метод, по которому проводники и изоляция между
ними (диэлектрик) формируются аддитивно, т.е. гальваническим осаждением
проводников и формированием изоляции прессованием только в необходимых
местах.
      Метод ПАФОС, как аддитивный метод, принципиально отличается от
субтрактивного тем, что металл проводников наносится, а не вытравливается.
      По методу ПАФОС проводящий рисунок формируется гальваническим

                                      24