Методы формирования структур элементов наноэлектроники и наносистемной техники - 24 стр.

UptoLike

Составители:

Рубрика:

топологии и модификации поверхности образца происходят

независимо друг от друга. Силы Ван-дер-Ваальса – силы

дальнего воздействия и/или силы ближнего воздействия – силы

отталкивания используются для отображения рельефа

поверхности, во время приложения импульсов напряжения

зонд-подложка, индуцирующего локальное окисление

поверхности. Другой характеристикой метода ЛАО является

возможность контроля в реальном времени электрических и

топографических характеристик наноразмерных структур во

время их формирования. Метода ЛАО является также более

эффективным по отношению к литографическим методикам

(электронно-лучевая литография), потому не требует

высокоточных операций совмещения, травления, экспонрования

и др.

В работе [34] была показана возможность модификации

гидрогенизированной поверхности кремния с помощью СТМ,

работающего в атмосфере влажного воздуха. Метод ЛАО

совершенствовался и оптимизировался на протяжении

нескольких лет. Так, в [35] для проведения ЛАО применялся

динамический режим АСМ, в котором были сформированы

ОНС с повышенной воспроизводимостью и разрешающей

способностью метода. Селективное окисление H-Si связей

(диффузионных слоев) также было показано в сверхвысоком

вакууме [36].