Методы формирования структур элементов наноэлектроники и наносистемной техники - 25 стр.

UptoLike

Составители:

Рубрика:

Установлено, что на кинетику процесса ЛАО оказывают

влияния толщина и химический состав пленки адсорбата,

определяемые относительной влажностью среды в

технологической камере, а также длительность импульсов

напряжения, прикладываемого к зонду и напряженность

электрического поля, которая зависит от амплитуды импульса

напряжения и расстояния зонд-подложка [37-39].

Формирование ОНС методом ЛАО было выполнено на Si

(111) и поликристаллическом тантале [40], соединениях III-IV

групп полупроводников [41], пленках титана [42] и алюминия

[43], GaAs [44], молибдене и пленках нитрида кремния [45],

ПММА-резисте [46], поверхности полупроводниковых

гетероструктур [47] и углеродистых пленках [48].

1.3. Устройства наноэлектроники на основе анодируемых

материалов

1.3.1. Устройства металлической наноэлектроники

Металлической наноэлектроникой является электроника, в

качестве активных элементов которой являются металлические

квазиодномерные проводники – наноразмерные каналы

проводимости, проявляющие квантование проводимости при

комнатных температурах.

Основной операцией формирования элементов

металлической наноэлектроники методом ЛАО является

сужение проводника шириной 1 мкм до 70 нм с последующим