ВУЗ:
Составители:
Рубрика:
27
исследованы ВАХ этих устройств. На рис. 1.4,б приведена
линейная ВАХ металлического канала проводимости шириной
70 нм. После формирования оксидного барьера происходило
изменение удельного сопротивления структуры приблизительно
на порядок, и ВАХ структуры имела нелинейный
ассиметричный вид при комнатной температуре. Такой вид
ВАХ может быть за счет формирования ассиметричного Ti/TiO
x
перехода, проявляющего не одинаковые свойства для прямого и
обратного напряжения смещения.
Также, путем формирования квазиодномерного канала в
пленке титана методом ЛАО, были созданы нановаристоры с
управляемой нелинейностью, на основе которых могут быть
созданы генераторы и переключатели тока гигагерцового
диапазона. При работе нановаристоров на высокой частоте они
могут выполнять роль СВЧ-нанодиодов [33].
1.3.2. Одноэлектронный транзистор
Одним из первых наноэлектронных устройств, работающих
при комнатной температуре, является одноэлектронный
транзистор, который был сформирован методом ЛАО.
Одноэлектронный транзистор является трехэлектродным
устройством, электронным характеристикам которого
свойственен эффект Кулоновской блокады. Для наблюдения
эффекта Кулоновской блокады при температуре, близкой к
комнатной температуре, необходимо чтобы размеры
металлического островка были менее 10 нм. В работе [50]
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 25
- 26
- 27
- 28
- 29
- …
- следующая ›
- последняя »
