ВУЗ:
Составители:
Рубрика:
26
формированием барьера поперек сужения [49]. Для пленки
титана толщиной 5 нм высота оксида над поверхностью
составляет порядка 3 нм.
На рис. 1.4,а показано АСМ-изображение устройства,
сформированного методом ЛАО. Две оксидные области
формируют наносужение шириной 70 нм, которое пересечено
оксидным барьером, шириной 21 нм. Для исследования
квантовой туннельной проводимости барьерных структур в [49]
был получен ряд устройств металлической наноэлектроники с
различной шириной оксидного барьера от 15 до 30 нм и
а б
Рис. 1.4. АСМ-изображение топологии Ti/TiO
x
структуры (а).
ВАХ Ti/TiO
x
структуры (б)
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 24
- 25
- 26
- 27
- 28
- …
- следующая ›
- последняя »
