ВУЗ:
Составители:
Рубрика:
28
разработан технологический процесс формирования Nb/NbO
x
одноэлектронного транзистора, который включал операции
оптической литографии и реактивного ионного травления
пленки Nb толщиной порядка 3 нм, напыленной на поверхность
Si/SiO
2
подложки. Затем с помощью метода ЛАО формировался
металлический островок, отделенный от электродов
туннельными диэлектрическими барьерами. Эффект
Кулоновской блокады наблюдался при 100 К. Позже используя
пленку Ti вместо Nb эффект Кулоновской блокады был получен
при комнатной температуре.
В работе [51] были проведены исследования возможности
использования металл/оксид/металл туннельных переходов как
компонента при формировании транзисторных структур.
Основным достоинством переходов металл/оксид является то,
что для формирования наноструктур на их основе не требуется
проводить процессы эпитаксиального роста, в результате чего
упрощается весь технологический процесс производства
транзисторных наноструктур.
Схема одноэлектронного транзистора показана на рис. 1.5,а.
Метод ЛАО применялся для формирования NbO
x
туннельного
барьера шириной порядка 30 нм. На рис. 1.5,б показано АСМ-
изображение с размером области туннельного перехода 0,2×0,2
мкм. Проводник из Nb наносился на поверхность
диэлектрической пленки (Al
2
O
3
) со встроенным затвором.
Транзистор работал за счет использования поля затвора для
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 26
- 27
- 28
- 29
- 30
- …
- следующая ›
- последняя »
