Методы формирования структур элементов наноэлектроники и наносистемной техники - 30 стр.

UptoLike

30
Рис. 1.6. ВАХ транзистора, показанного на рис. 1.5, для разных
напряжений затвора. Ток утечки затвора менее 1 пА
1.3.3. Мезоскопические устройства
К мезоскопическим устройствам относят электронные
приборы, размеры активной области которых сопоставимы с
такими параметрами электрона, как длина волны де Бройля на
поверхности Ферми, длина свободного пробега, длина
когерентности, длина сбоя фазы и радиус экранирования [52]. К
ним относятся гетероструктуры с квантовыми ямами и
туннельными барьерами, структуры с двумерным электронным
газом на границе раздела гетероперехода и т.д. Двухмерный
электронный газ может быть «сжат» потенциальными
барьерами в 1 или 2D измерениях, образуя при этом квантовые
точки и квантовые нити. Такие структуры, как правило,
формируются на полупроводниковом материале с помощью
молекулярно-лучевой эпитаксии и зондовыми методами
нанолитографии.
В работе [53] показано применение метода ЛАО для
формирования переходов Джозефсона и квантовых интерферен-
ционных приборов (КИП), обладающих сверхпроводимостью.
Процесс их производства включал осаждение тонкой пленки Nb
на диэлектрическую подложку α-Al
2
O
3
. Затем для
формирования структуры туннельных мостиков и колец