Методы формирования структур элементов наноэлектроники и наносистемной техники - 32 стр.

UptoLike

Составители:

Рубрика:

магнитного поля для постоянной (б) и переменной (в) толщины

наносужения (мостика)

работе [53] было определено отклонение данной зависимости от

линейной для КИП на основе мостиков, с изменяющейся

толщиной, график которой показан на рис. 1.7, в. Данная

зависимость имеет место при размерах наносужения менее

длины когерентности.

Используя метод ЛАО в GaAs/AlGaAs гетероструктурах,

содержащих слой двумерного электронного газа (2D ЭГ), также

были сформированы мезоскопические структуры, такие, как

квантовая точка (рис. 1.8), квантовое кольцо Аронова–Бома,

квантовый точечный контакт (КТК), показанный на рис. 1.9 [54].

Если слой 2D ЭГ находится на глубине 30 - 40 нм, то

сформированные на поверхности подложки, оксидные

наноразмерные структуры с высотой 10-15 нм могут полностью

обеднять этот скрытый слой 2D ЭГ. Оксидная наноструктура,

сформированная методом ЛАО, локально приближает

поверхность образца к 2D ЭГ слою таким образом, что после

окисления минимум потенциальной ямы находится над уровнем

энергии Ферми. В результате путем формирования на

поверхности оксидных наноразмерных структур с помощью

ЛАО можно электрически изолировать области 2D ЭГ слоя.

Другим преимуществом нанолитографии методом ЛАО при

формировании устройств мезоскопики является