Методы формирования структур элементов наноэлектроники и наносистемной техники - 34 стр.

UptoLike

Составители:

Рубрика:

блокаде. Из анализа характеристики видно, что движение

электронов от истока к стоку происходит только при

определенных значениях потенциала, приложенного к островку

структуры [51].

Экспериментальные результаты применения ЛАО для

формирования КТК приведены в [56]. На рис. 1.9 показано

АСМ-изображение квантового Т-образного квантового

точечного контакта, оксидная линия, отделяющая исток от стока

Рис. 1.8. АСМ-изображение и характеристика квантовой точки,

сформированной методом ЛАО

высотой 18 нм и шириной 200 нм, а также оксидная линия

затвора, отделяющая планарный затвор от перехода исток-сток

шириной 400 нм. Ток утечки исток-затвор, измеренный при

температуре Т = 1,4 К, составил менее 0,1 нА при приложении

напряжения ± 2 В [54].

Квантовый точечный контакт Т-образной формы,