Методы формирования структур элементов наноэлектроники и наносистемной техники - 36 стр.

UptoLike

Составители:

Рубрика:

к затвору можно изменять расстояние между центром волновой

функции электрона и оксидом, что в свою очередь позволяет

изучить электрон-оксид взаимодействие. На рис. 1.10 показана

зависимость проводимости КТК от напряжения затвора,

полученная при температурном диапазоне от 1,4 К до 30 К. При

температуре 1,4 К наблюдалось квантование проводимости КТК

(видны четкие ступеньки на соответствующей данной

температуре кривой).

Рис. 1.10. Зависимость проводимости КТК от напряжения

затвора при различной температуре

1.4. Формирование каталитических центров методом

локального анодного окисления

Из анализа литературных данных следует, что метод

локального анодного окисления с помощью АСМ активно

используется для формирования ОНС на поверхности пленок

никеля, которые могут быть использованы в качестве

катализаторов роста массивов нанокристаллов ZnO [57], а также