Методы формирования структур элементов наноэлектроники и наносистемной техники - 38 стр.

UptoLike

Составители:

Рубрика:

подвергающихся жидкостному травлению, за счет

соответствующего контроля температуры и времени роста.

Рис. 1.11. РЭМ-изображение NiO

наноструктур с различной

геометрией: а – квадрат с размером 1,8 мкм; в – матрица из 3×3

квадратов с размерами 2×2 мкм; д – матрица из 4×4 точек с

диаметром порядка 90 нм; б, г, е – соответствующие СЭМ-

изображения УНТ, выращенных на ОНС никеля при 700

○

С в

течение 10 мин

Контрольные вопросы

1. Назовите основные методы нанолитографии.