Методы формирования структур элементов наноэлектроники и наносистемной техники - 31 стр.

UptoLike

Составители:

Рубрика:

проводилось ЛАО поверхности пленки Nb, АСМ-изображение

которого показано на рис. 1.7,а.

Структура состояла из наноразмерных мостиков, в качестве

которых являлись 2 наноразмерных сужения шириной 30 и 100

нм и 200 - 1000 нм длиной соответственно. График зависимости

модуляции тока переключения от магнитного поля показан на

рис. 1.7,б, имеет симметричную пилообразную форму с

периодом порядка 2 мТ. Данное значение соответствует

магнитному потоку квантов в сверхпроводнике h/2e. Также в

Рис. 1.7. АСМ-изображение КИП структуры, сформированной

методом ЛАО (а). Зависимость тока переключения КИП от