ВУЗ:
Составители:
Рубрика:
29
модуляции проводимостью электронов через мeталл/оксид
туннельный барьер посредством контроля высоты туннельного
барьера, управляющего током между истоком и стоком. На рис.
1.6 показана ВАХ одноэлектронного транзистора,
изображенного на рис. 1.5, при температуре 300 К. Модуляция
тока исток-сток производилась за счет подачи напряжения на
затвор, при этом ток утечки на затворе был незначительным.
а
б
Рис. 1.5. Модель Nb/NbO
x
туннельного барьера, сформированного
на поверхности планарного Al/Al
2
O
3
затвора (а). АСМ-
изображение области туннельного барьера (б)
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 27
- 28
- 29
- 30
- 31
- …
- следующая ›
- последняя »
