ВУЗ:
Составители:
Рубрика:
3
ВВЕДЕНИЕ
Создание элементной базы наноэлектроники связано с
разработкой и исследованием методов модификации
поверхности подложки с нанометровым разрешением. Одним из
перспективных методов формирования элементной базы
наноэлектроники является нанолитография методом локального
анодного окисления (ЛАО) с использованием сканирующего
зондового микроскопа (СЗМ). Основным достоинством ЛАО
является возможность контроля в реальном времени
электрических и топографических характеристик
наноразмерных структур. Этот метод зондовой нанолитографии
также позволяет формировать диэлектрические барьеры,
резистивные маски для селективного травления, шаблоны,
которые могут быть использованы при формировании
элементов наноэлектроники.
В учебном пособии рассмотрены перспективные методы
формирования структур элементов наноэлектроники и
наносистемной техники. В первом разделе пособия представлен
обзор современных литографических методов формирования
структур интегральных микросхем. Рассмотрены основные
принципы действия, достоинства и недостатки альтернативных
методов нанолитографии, основанных на использовании
сканирующего зондового микроскопа: динамическая атомно-
силовая литография, полевое испарение, dip-pen
нанолитография, локальное анодное окисление. Описаны
