Методы формирования структур элементов наноэлектроники и наносистемной техники - 42 стр.

UptoLike

Составители:

Рубрика:

металлической подложки. Когда зонд АСМ подведен к

поверхности подложки при подаче напряжения к системе зонд-

подложка на кончике АСМ-зонда накапливаются электроны при

этом на границе раздела под точкой контакта зонда АСМ с

подложкой индуцируются эквивалентные им положительные

заряды (рис. 2.2,а). Воздух, насыщенный парами воды и

газообразным кислородом, диссоциирует генерируя ионы OH

вблизи зонда АСМ [63].

Возможен механизм, когда OH

и O

ионы не могут

полностью диффундировать через слой природного оксида

MeO

, ионы остаются внутри оксидного слоя, формируя оксид

(рис. 2.2,б) [63]. При этом окисление происходит по следующей

реакции:

Me+O

→MeO

. (2.3)

Рис. 2.2 Схема возможных механизмов ЛАО металла

Во время проведения локального анодного окисления

существуют три возможности формирования оксидных структур.

Первая – рост окисла может происходить на границе металл –

оксид, когда ионы кислорода переходят из оксида