Методы формирования структур элементов наноэлектроники и наносистемной техники - 54 стр.

UptoLike

54
оксида, при этом концентрация молекул окислителя
r
c
0
соответствует парциальному давлению
kTcp
r
00
.
(2.23)
Так как образование оксида непрерывно, происходит
обеднение приповерхностной области газовой фазы за счет
растворения молекул окислителя в MeO
x
, при этом в
приповерхностном диффузионном слое толщиной
возникает
градиент концентрации молекул окислителя, который создает
диффузионный поток по направлению к границе.
)(
0
0
1
r
s
r
r
s
r
r
cc
cc
DJ
,
(2.24)
где
коэффициент массопереноса в газовой фазе, связанный
с коэффициентом диффузии молекул окислителя
r
D
следующим выражением: ./
r
D Толщина диффузионного
слоя
является феноменологическим параметром и
определяется экспериментально. Плотность тока J
1
можно
выразить через поверхностную концентрацию молекул
окислителя
s
c , растворенных в MeO
x
. Процесс растворения
подчиняется закону Генри:
,
ss
spc
(2.25)
где s коэффициент растворимости молекул окислителя в
MeO
x
, а
s
p парциальное давление окислителя на межфазной