ВУЗ:
Составители:
Рубрика:
134
Продолжение табл. П.3.
1 2 3 4
11. Фотолитог-
рафия по слою
металлизации.
Геометрические размеры
проводящих элементов не
соответствуют допустимым (а);
"перемычки" между элементами
металлизации (недотравленные
участки) с размерами более
допустимых (б); несовмещение
элементов металлизации с
контактными окнами и др.
элементами структуры
микросхемы более допустимого
(в); пустоты или царапины с
размерами более допустимых на
элементах металлизации
(проводящих дорожках,
контактных площадках и т.д.) (г);
признаки коррозии и отслаивания
элементов металлизации (д).
Нарушение режима задубливания
фоторезиста (недостаточная его
адгезия к проводящему слою) (а);
неправильное соотношение
компонентов в травителе либо
нарушение режима травления (а, б);
протекание электрохимических
процессов в системе Al - Si -
травитель (д); некачественное
проявление (а, г); дефекты
фотошаблона (а, б, г); увеличение
межоперационного времени
хранения (д); наличие локальных
загрязнений и инородных
включений, внесенных на начальных
операциях фотолитографии и (или)
перед напылением проводящего слоя
(д); отсутствие должного контроля
точности совмещения (в).
При выполнении фотолитографии
особое значение имеет чистота
атмосферы производственного
помещения (не ниже 10 и 100
классов чистоты), т.к. осаждение
загрязнений (посторонних частиц)
из атмосферы на объект
производства и фотошаблон
приводит к переносу и
суммированию дефектов после
экспонирования фоторезиста и до
завершения технологического
цикла.
12. Осаждение
межслойного
диэлектрика и
защитного
покрытия.
Разброс по толщине слоя более
допустимого (а); пустоты,
царапины, каналы,
кристаллические включения,
инородные включения с
размерами более допустимых на
единицу площади пластины (б).
Наличие повышенных
температурных градиентов на
осаждаемой поверхности в процессе
формирования данных покрытий (а,
б); несоблюдение технологии (а, б);
отсутствие контроля чистоты
материалов технологических сред
(б).
Параметры, характеризующие
изолирующие и пассивирующие
свойства диэлектрических
покрытий оценивают при отработке
технологий осаждения
диэлектрических покрытий.
Продолжение табл. П.3.
1 2 3 4
11. Фотолитог- Геометрические размеры Нарушение режима задубливания При выполнении фотолитографии
рафия по слою проводящих элементов не фоторезиста (недостаточная его особое значение имеет чистота
металлизации. соответствуют допустимым (а); адгезия к проводящему слою) (а); атмосферы производственного
"перемычки" между элементами неправильное соотношение помещения (не ниже 10 и 100
металлизации (недотравленные компонентов в травителе либо классов чистоты), т.к. осаждение
участки) с размерами более нарушение режима травления (а, б); загрязнений (посторонних частиц)
допустимых (б); несовмещение протекание электрохимических из атмосферы на объект
элементов металлизации с процессов в системе Al - Si - производства и фотошаблон
контактными окнами и др. травитель (д); некачественное приводит к переносу и
элементами структуры проявление (а, г); дефекты суммированию дефектов после
микросхемы более допустимого фотошаблона (а, б, г); увеличение экспонирования фоторезиста и до
(в); пустоты или царапины с межоперационного времени завершения технологического
размерами более допустимых на хранения (д); наличие локальных цикла.
элементах металлизации загрязнений и инородных
(проводящих дорожках, включений, внесенных на начальных
контактных площадках и т.д.) (г); операциях фотолитографии и (или)
признаки коррозии и отслаивания перед напылением проводящего слоя
элементов металлизации (д). (д); отсутствие должного контроля
точности совмещения (в).
12. Осаждение Разброс по толщине слоя более Наличие повышенных Параметры, характеризующие
межслойного допустимого (а); пустоты, температурных градиентов на изолирующие и пассивирующие
диэлектрика и царапины, каналы, осаждаемой поверхности в процессе свойства диэлектрических
защитного кристаллические включения, формирования данных покрытий (а, покрытий оценивают при отработке
покрытия. инородные включения с б); несоблюдение технологии (а, б); технологий осаждения
размерами более допустимых на отсутствие контроля чистоты диэлектрических покрытий.
единицу площади пластины (б). материалов технологических сред
(б).
134
