Процессы микро- и нанотехнологий. Ч. 2. Шутов Д.А - 135 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

ИГХТУ | Иваново

Составители: 

Рубрика: 

135
Окончание табл. П.3.
1 2 3 4
13.
Функциональный
контроль
микросхем
Функциональные
параметры микросхемы
не соответствуют
заданным по
техническим условиям.
Проявление в присутствии
электрического поля и эффектов типа:
электромиграции частиц алюминия,
дрейфа ионов инородных примесей,
туннелирования, разрастания
кристаллитов, например, алюминия и
др., приводящих к утечкам тока в
диэлектриках и p-n переходах; к проколу
p-n переходов, разрывам разводки в
элементах, повышению контактного
сопротивления, коротким замыканиям
между уровнями металлизации и др.
Появление структурных дефектов в
полупроводнике в результате влияния
градиентов температуры и механических
напряжений, что приводит к появлению
дополнительных энергетических
уровней в запрещенной зоне и,
соответственно, к неуправляемому
изменению проводимости, времени
жизни, генерации и рекомбинации
носителей заряда.
Для повышения качества готовых
структур микросхем обычно
осуществляют межоперационный
(промежуточный) контроль по тестовым
элементам микросхемы, на которых
измеряют вольт - амперные
характеристики (ВАХ) с применением
измерительных установок,
оборудованных специальными
зондовыми головками. По виду ВАХ
можно не только выявлять и
классифицировать дефекты, но и судить
о настроенности и отработанности всего
технологического процесса
изготовления микросхем. 
                                                                                                  Окончание табл. П.3.
       1                    2                             3                                       4
13.              Функциональные        Проявление в присутствии                Для повышения качества готовых
Функциональный   параметры микросхемы электрического поля и эффектов типа:     структур микросхем обычно
контроль         не соответствуют      электромиграции частиц алюминия,        осуществляют межоперационный
микросхем        заданным по           дрейфа ионов инородных примесей,        (промежуточный) контроль по тестовым
                 техническим условиям. туннелирования, разрастания             элементам микросхемы, на которых
                                       кристаллитов, например, алюминия и      измеряют вольт - амперные
                                       др., приводящих к утечкам тока в        характеристики (ВАХ) с применением
                                       диэлектриках и p-n переходах; к проколу измерительных установок,
                                       p-n переходов, разрывам разводки в      оборудованных специальными
                                       элементах, повышению контактного        зондовыми головками. По виду ВАХ
                                       сопротивления, коротким замыканиям      можно не только выявлять и
                                       между уровнями металлизации и др.       классифицировать дефекты, но и судить
                                       Появление структурных дефектов в        о настроенности и отработанности всего
                                       полупроводнике в результате влияния     технологического процесса
                                       градиентов температуры и механических изготовления микросхем.
                                       напряжений, что приводит к появлению
                                       дополнительных энергетических
                                       уровней в запрещенной зоне и,
                                       соответственно, к неуправляемому
                                       изменению проводимости, времени
                                       жизни, генерации и рекомбинации
                                       носителей заряда.




                                                        135

Страницы