Процессы микро- и нанотехнологий. Ч. 2. Шутов Д.А - 133 стр.

UptoLike

Составители: 

133
Продолжение табл. П.3.
1 2 3 4
9. Ионное
легирование
кремния с
последующей
термообработкой.
Локально аморфизированные
участки в легированных областях
(а); удельное поверхностное
сопротивление не соответствует
допустимому (б).
Энергия ионного пучка
превышает требуемую (а); доза
облучения и плотность тока
ионного пучка не соответствуют
допустимым значениям (б).
Другие дефекты, например,
скопления вакансий, дислокации и
т.д. обнаруживают с применением
электронной микроскопии либо
рентгеноструктурного анализа на
этапе отработки технологических
режимов ионного легирования
10. Вакуумное
напыление слоя
металлиза-ции.
Пятна, разводы, инородные
включения, пустоты, царапины с
размерами более допустимых на
единицу площади пластины (г);
разброс по толщине слоя
металлизации и ρs не
соответствуют допустимым (а);
структура пленки не
соответствует эталонной (б);
адгезионная прочность менее
допустимой (в).
Наличие загрязнений и дефектов
на пластине перед напылением (а,
б, в, г); остаточное давление в
рабочей камере выше
допустимого (а, б, в); наличие
градиентов температуры по
поверхности пластины (а, б, в);
неоптимально выбрана скорость
осаждения (а, б, в); неоптимальна
энергия и плотность
молекулярного потока (а, б, в, г).
Причины появления дефектов при
вакуумном напылении могут также
быть связаны со способом переноса
материала металлизации и
спецификой конструкции рабочей
камеры
                                                                                                   Продолжение табл. П.3.
        1                         2                               3                                   4
9. Ионное        Локально аморфизированные       Энергия ионного пучка              Другие дефекты, например,
легирование      участки в легированных областях превышает требуемую (а); доза      скопления вакансий, дислокации и
кремния с        (а); удельное поверхностное     облучения и плотность тока         т.д. обнаруживают с применением
последующей      сопротивление не соответствует  ионного пучка не соответствуют электронной микроскопии либо
термообработкой. допустимому (б).                допустимым значениям (б).          рентгеноструктурного анализа на
                                                                                    этапе отработки технологических
                                                                                    режимов ионного легирования
10. Вакуумное    Пятна, разводы, инородные       Наличие загрязнений и дефектов Причины появления дефектов при
напыление слоя   включения, пустоты, царапины с на пластине перед напылением (а, вакуумном напылении могут также
металлиза-ции.   размерами более допустимых на б, в, г); остаточное давление в      быть связаны со способом переноса
                 единицу площади пластины (г);   рабочей камере выше                материала металлизации и
                 разброс по толщине слоя         допустимого (а, б, в); наличие     спецификой конструкции рабочей
                 металлизации и ρs не            градиентов температуры по          камеры
                 соответствуют допустимым (а);   поверхности пластины (а, б, в);
                 структура пленки не             неоптимально выбрана скорость
                 соответствует эталонной (б);    осаждения (а, б, в); неоптимальна
                 адгезионная прочность менее     энергия и плотность
                 допустимой (в).                 молекулярного потока (а, б, в, г).




                                                           133