Процессы микро- и нанотехнологий. Ч. 2. Шутов Д.А - 131 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

ИГХТУ | Иваново

Составители: 

Рубрика: 

131
Продолжение табл. П.3.
1 2 3 4
5. Термичес-кое
окисление
пластин.
Толщина окисла не соответствует
заданной (а); наличие матовости в
пленках SiO
2
(б); наличие разводов,
инородных включений (в).
Нарушение температурно-
временных режимов процесса
окисления (а); повышенная
дефектность исходной пластины
(б, в); несоблюдение чистоты
проводимого процесса (в
частности технологической среды)
(б , в).
Другие дефекты, например,
повышенная пористость,
недопустимые электрофизические
характеристики границы раздела
Si-SiO
2
, линии скольжения,
коробление пластин,
контролируют и устраняют на
этапе отработки технологического
процесса.
6.
Фотолитография
по слою SiO
2
.
Несовмещение топологического
рисунка более допустимого (а);
нарушения геометрии
топологических элементов более
допустимых (б); наличие
недотравленных участков SiO
2
в
зонах травления (в); наличие
макродефектов (царапин и др.) в слое
SiO
2
(г); растравливание окисла
(ширина клина травления) более
допустимого (д); уход линейных
размеров топологических элементов
более допустимого (е);
воспроизводимость размеров
контролируемых элементов не
соответствует заданной по точности
(ж).
Сбой в работе системы контроля
точности совмещения (либо
ошибка оператора) (а); дефекты
фотошаблона либо загрязнения (б,
в, г); нарушение технологии
процесса травления (б, в, д);
недопустимо большой зазор между
фотошаблоном и пластиной (д, е);
нарушение режима проявления (д,
е); недостаточная адгезия
фоторезиста к пластине (е, ж);
разброс по толщине слоя
фоторезиста более допустимого
(ж); посторонние включения в слое
фоторезиста (з).
При температуре задубливания
более 145
0
C в слое фоторезиста
происходят термореактивные
превращения, в результате
которых он теряет способность
растворяться в органических
растворителях, что усложняет
удаление использованной маски. 
                                                                                                   Продолжение табл. П.3.
1                 2                                     3                                4
5. Термичес-кое   Толщина окисла не соответствует       Нарушение температурно-          Другие дефекты, например,
окисление         заданной (а); наличие матовости в     временных режимов процесса       повышенная пористость,
пластин.          пленках SiO2 (б); наличие разводов,   окисления (а); повышенная        недопустимые электрофизические
                  инородных включений (в).              дефектность исходной пластины    характеристики границы раздела
                                                        (б, в); несоблюдение чистоты     Si-SiO2, линии скольжения,
                                                        проводимого процесса (в          коробление пластин,
                                                        частности технологической среды) контролируют и устраняют на
                                                        (б , в).                         этапе отработки технологического
                                                                                         процесса.
6.                Несовмещение топологического         Сбой в работе системы контроля    При температуре задубливания
Фотолитография    рисунка более допустимого (а);       точности совмещения (либо         более 1450C в слое фоторезиста
по слою SiO2.     нарушения геометрии                  ошибка оператора) (а); дефекты    происходят термореактивные
                  топологических элементов более       фотошаблона либо загрязнения (б, превращения, в результате
                  допустимых (б); наличие              в, г); нарушение технологии       которых он теряет способность
                  недотравленных участков SiO2 в       процесса травления (б, в, д);     растворяться в органических
                  зонах травления (в); наличие         недопустимо большой зазор между растворителях, что усложняет
                  макродефектов (царапин и др.) в слое фотошаблоном и пластиной (д, е); удаление использованной маски.
                  SiO2 (г); растравливание окисла      нарушение режима проявления (д,
                  (ширина клина травления) более       е); недостаточная адгезия
                  допустимого (д); уход линейных       фоторезиста к пластине (е, ж);
                  размеров топологических элементов разброс по толщине слоя
                  более допустимого (е);               фоторезиста более допустимого
                  воспроизводимость размеров           (ж); посторонние включения в слое
                  контролируемых элементов не          фоторезиста (з).
                  соответствует заданной по точности
                  (ж).



                                                            131

Страницы