Процессы микро- и нанотехнологий. Ч. 2. Шутов Д.А - 130 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

ИГХТУ | Иваново

Составители: 

Рубрика: 

130
Продолжение табл. П.3.
1 2 3 4
3.
Полирова-
ние
пластин.
Геометрические параметры
пластин (диаметр, толщина,
длина базового среза,
непараллельность сторон,
плоскостность, прогиб) не
соответствуют допустимым (а);
отклонение от
кристаллографической
ориентации более допустимого
(б); количество и суммарная
длина рисок более допустимых
(в); количество частиц
загрязнений на пластине более
допустимого (г).
Износ полировальника более
допустимого; неплоскостность
установки полировальника более
допустимой (а, б); внесение
инородных частиц и пузырьков
воздуха под пластину при ее
наклеивании на планшайбу (а, б);
наличие уплотненных
загрязнений на поверхности
полировальника (а, б);
нестабильность (снижение)
температуры при финишном
полировании (в); наличие
структурных нарушений (г).
Структурные нарушения, вносимые
абразивной обработкой (поверхностный
рельеф, трещины, пластически
деформированные области и т.д.) выявляются
и минимизируются на этапе отработки
данной технологической операции.
Шероховатость поверхности пластин после
финишного (химикомеханического)
полирования составляет менее 0,05 мкм.
4.
Химиче
ская
обработка
пластин.
Остатки загрязнений в виде
разводов, пятен, подтеков и т. д.
(а); количество точечных
инородных включений
(в том числе адсорбированных )
более допустимого (б);
количество гидрофобных
загрязнений более допустимого
(в).
Нарушены режимы финишной
промывки проточной и
деионизованной водой и сушки
пластин (а); некачественная
отмывка в кислотных моющих
растворах (б); нарушены режимы
очистки в неполярном
органическом растворителе и
промежуточной промывки (в).
Степень чистоты поверхности пластин после
очистки в условиях производства
определяется количеством светящихся точек
в поле зрения микроскопа (обычно в темном
поле при косом освещении); наличие
жировых (гидрофобных) загрязнений
оценивают по времени смачиваемости (либо
углу смачивания) поверхности пластины.
Очистка - многократно повторяющаяся
операция на разных этапах изготовления
микросхем, поэтому очистительные среды
могут быть разными в зависимости от типа
загрязнений, вносимых и остающихся на
предыдущей операции. 
                                                                                                     Продолжение табл. П.3.
     1                      2                                   3                                    4
3.         Геометрические параметры            Износ полировальника более       Структурные нарушения, вносимые
Полирова- пластин (диаметр, толщина,           допустимого; неплоскостность     абразивной обработкой (поверхностный
ние        длина базового среза,               установки полировальника более рельеф, трещины, пластически
пластин.   непараллельность сторон,            допустимой (а, б); внесение      деформированные области и т.д.) выявляются
           плоскостность, прогиб) не           инородных частиц и пузырьков     и минимизируются на этапе отработки
           соответствуют допустимым (а);       воздуха под пластину при ее      данной технологической операции.
           отклонение от                       наклеивании на планшайбу (а, б); Шероховатость поверхности пластин после
           кристаллографической                наличие уплотненных              финишного (химикомеханического)
           ориентации более допустимого        загрязнений на поверхности       полирования составляет менее 0,05 мкм.
           (б); количество и суммарная         полировальника (а, б);
           длина рисок более допустимых        нестабильность (снижение)
           (в); количество частиц              температуры при финишном
           загрязнений на пластине более       полировании (в); наличие
           допустимого (г).                    структурных нарушений (г).
4.         Остатки загрязнений в виде          Нарушены режимы финишной         Степень чистоты поверхности пластин после
Химическая разводов, пятен, подтеков и т. д.   промывки проточной и             очистки в условиях производства
обработка (а); количество точечных             деионизованной водой и сушки     определяется количеством светящихся точек
пластин.   инородных включений                 пластин (а); некачественная      в поле зрения микроскопа (обычно в темном
           (в том числе адсорбированных )      отмывка в кислотных моющих       поле при косом освещении); наличие
           более допустимого (б);              растворах (б); нарушены режимы жировых (гидрофобных) загрязнений
           количество гидрофобных              очистки в неполярном             оценивают по времени смачиваемости (либо
           загрязнений более допустимого       органическом растворителе и      углу смачивания) поверхности пластины.
           (в).                                промежуточной промывки (в).      Очистка - многократно повторяющаяся
                                                                                операция на разных этапах изготовления
                                                                                микросхем, поэтому очистительные среды
                                                                                могут быть разными в зависимости от типа
                                                                                загрязнений, вносимых и остающихся на
                                                                                предыдущей операции.
                                                            130

Страницы