Процессы микро- и нанотехнологий. Ч. 2. Шутов Д.А - 128 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

ИГХТУ | Иваново

Составители: 

Рубрика: 

128
Окончание табл. П.2.
1 2 3 4 5 6
29 . Фотолитография 11 по слою
металлизации для
формирования 2-го уровня
коммутации элементов БИС.
Аналогично операции 25.
30 . Осаждение из газовой фазы (или
пиролитическое)
пассивирующего слоя ФСС при
T=450
0
C.
T, t, М
г
Внешний вид,
h SiO
2
Фосфин (PH
3
), моносилан (SiH
4
),
аргон газообразный, кислород
газообразный, спирт этиловый
ректификат; батист отбеленный
мерсеризованный.
Установка типа "Изо
трон";
интерферометр типа МИИ-4.
31 . Фотолитография 12 по слою
пассивации для вскрытия окон к
контактным площадкам БИС.
Аналогично операции 3 , а – з.
32 . Термоотжиг (для вжигания
металлизации при T=450
0
C).
T, t, М
г
Внешний вид.
Азот газообразный.
Печь диффузионная типа
ДОМ; микроскоп типа
НУ-2Е.
33 . Функциональный контроль и
разбраковка БИС.
Вых.
пар-ры
изм.
уст-вок.
Электр. пар.
БИС
(статические и
динамические
параметры по
техн. услов.).
Краска маркировочная, спирт
этиловый ректификат; батист
отбеленный мерсеризованный.
Измерительные установки
для контроля и разбраковки
БИС.
Допускается замена на аналогичный кристалл BEL 23 с двухслойной металлизацией. 
                                                                                                          Окончание табл. П.2.
  1                   2                 3          4                              5                               6
 29 .   Фотолитография 11 по слою
        металлизации для
                                                                         Аналогично операции 25.
        формирования 2-го уровня
        коммутации элементов БИС.
 30 .   Осаждение из газовой фазы (или                           Фосфин (PH3), моносилан (SiH4),       Установка типа "Изотрон";
        пиролитическое)                                          аргон газообразный, кислород          интерферометр типа МИИ-4.
                                             Внешний вид,
        пассивирующего слоя ФСС при T, t, Мг                     газообразный, спирт этиловый
                                                h SiO2
        T=4500C.                                                 ректификат; батист отбеленный
                                                                 мерсеризованный.
 31 .   Фотолитография 12 по слою
        пассивации для вскрытия окон к                                Аналогично операции 3 , а – з.
        контактным площадкам БИС.
 32 .   Термоотжиг (для вжигания                                                                       Печь диффузионная типа
        металлизации при T=4500C).     T, t, Мг Внешний вид.             Азот газообразный.            ДОМ; микроскоп типа
                                                                                                       НУ-2Е.
 33 .   Функциональный контроль и      Вых.      Электр. пар. Краска маркировочная, спирт              Измерительные установки
        разбраковка БИС.              пар-ры        БИС        этиловый ректификат; батист             для контроля и разбраковки
                                        изм.   (статические и отбеленный мерсеризованный.              БИС.
                                      уст-вок. динамические
                                                параметры по
                                                техн. услов.).
Допускается замена на аналогичный кристалл BEL 23 с двухслойной металлизацией.




                                                           128

Страницы