Процессы микро- и нанотехнологий. Ч. 2. Шутов Д.А - 127 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

ИГХТУ | Иваново

Составители: 

Рубрика: 

127
Продолжение табл. П.2.
1 2 3 4 5 6
25 . Фотолитография 9
по слою
металлизации для
формирования 1-го
уровня коммутации
элементов БИС.
Аналогично
операции 3,
а - з .
Внешний вид,
линейные
размеры;
ВАХ по
тестовым
структурам.
Фоторезист ФП-051МК,
этицеллозольвацетат,
гексаметилдисилазан, травильный
раствор (для травления сплава Al-
Si); раствор для появления, вода
деионизованная марки А, спирт
этиловый ректификат; фильтр
обеззоленный, батист отбеленный
мерсеризованный.
Линия фотолитографии
"Лада-Электроника";
микроскоп типа УИМ-25;
специальный стенд
(с многозондовой головкой) для
измерения ВАХ.
26 . Плазмохимическое
осаждение (ПХО)
межслойной
изоляции
(межслойного
диэлектрика - ПХО
SiO
2
при T=400
0
C).
М
г
, T, t Внешний вид,
h SiO
2
.
Тетраоксисилан
(этилтриэтоксисилан),
аргон газообразный, кислород
газообразный.
Установка типа УВП-2М;
интерферометр типа МИИ-4.
27 . Фотолитография 10
по слою ПХО SiO
2
(вскрытие окон для
межслойной
коммутации).
Аналогично операции 3 , а – з.
28 . Нанесение (в
вакууме) 2-го слоя
металлизации (с
одновременным
формированием
межслойной
коммутации).
Аналогично операции 24. 
                                                                                                    Продолжение табл. П.2.
 1     2                         3              4          5                                    6
25 .   Фотолитография 9     Аналогично    Внешний вид,     Фоторезист ФП-051МК,                 Линия фотолитографии
       по слою              операции 3,     линейные       этицеллозольвацетат,                 "Лада-Электроника";
       металлизации для        а-з.         размеры;       гексаметилдисилазан, травильный      микроскоп типа УИМ-25;
       формирования 1-го                     ВАХ по        раствор (для травления сплава Al-    специальный стенд
       уровня коммутации                    тестовым       Si); раствор для появления, вода     (с многозондовой головкой) для
       элементов БИС.                      структурам.     деионизованная марки А, спирт        измерения ВАХ.
                                                           этиловый ректификат; фильтр
                                                           обеззоленный, батист отбеленный
                                                           мерсеризованный.
26 .   Плазмохимическое       Мг, T, t    Внешний вид,     Тетраоксисилан                       Установка типа УВП-2М;
       осаждение (ПХО)                       h SiO2.       (этилтриэтоксисилан),                интерферометр типа МИИ-4.
       межслойной                                          аргон газообразный, кислород
       изоляции                                            газообразный.
       (межслойного
       диэлектрика - ПХО
       SiO2 при T=4000C).
27 .   Фотолитография 10
       по слою ПХО SiO2
       (вскрытие окон для                                      Аналогично операции 3 , а – з.
       межслойной
       коммутации).
28 .   Нанесение (в
       вакууме) 2-го слоя
       металлизации (с
       одновременным                                             Аналогично операции 24.
       формированием
       межслойной
       коммутации).
                                                         127

Страницы