Процессы микро- и нанотехнологий. Ч. 2. Шутов Д.А - 125 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

ИГХТУ | Иваново

Составители: 

Рубрика: 

125
Продолжение табл. П.2.
1 2 3 4 5 6
17 . Удаление фоторезиста и
химическая обработка пластин.
Аналогично операции 7.
18 . Термообработка пластин после
ионного легирования (для разгонки
примеси (бора) и снижения
дефектности структур
легированных областей после
ионного легирования при
T=1200
0
C ).
T, t
ρ
s
, X
j
Травитель для SiO
2
, раствор для
выявления p-n перехода, вода
деионизованная марки А, спирт
этиловый ректификат; фильтр
обеззоленный, батист отбеленный
мерсеризованный, алмазная паста.
Печь диффузионная типа ДОМ;
модули линии для хим. обработки
"Лада-Электроника"; установка для
измерения ρ
s
-ЦИУС; установка для
получения шар - шлифа.
19 . Фотолитография 6 для вскрытия
окон под диффузию бора (перед
формированием базовых областей
и p
+
- областей инжекционных
элементов).
Аналогично операции 3, а – з.
20 . Диффузия бора для формирования
базовых областей и p+-областей
инжекционных элементов:
а) 1-я стадия диффузии (загонка
примеси при T=9500C);
б) снятие БСС;
в) снятие SiO2;
г) 2-я стадия диффузии (разгонка
примеси при T=11000C с
выращиванием SiO2 по системе:
сухой O2 - пары воды - сухой O2).
Аналогично операции 14. 
                                                                                                      Продолжение табл. П.2.
 1                      2                   3       4                    5                                   6
17 .   Удаление фоторезиста и
                                                                         Аналогично операции 7.
       химическая обработка пластин.
18 .   Термообработка пластин после        T, t   ρs , Xj Травитель для SiO2, раствор для    Печь диффузионная типа ДОМ;
       ионного легирования (для разгонки                  выявления p-n перехода, вода       модули линии для хим. обработки
       примеси (бора) и снижения                          деионизованная марки А, спирт      "Лада-Электроника"; установка для
       дефектности структур                               этиловый ректификат; фильтр        измерения ρs-ЦИУС; установка для
       легированных областей после                        обеззоленный, батист отбеленный    получения шар - шлифа.
       ионного легирования при                            мерсеризованный, алмазная паста.
       T=12000C ).
19 .   Фотолитография 6 для вскрытия
       окон под диффузию бора (перед
       формированием базовых областей                                 Аналогично операции 3, а – з.
       и p+- областей инжекционных
       элементов).
20 .   Диффузия бора для формирования
       базовых областей и p+-областей
       инжекционных элементов:
       а) 1-я стадия диффузии (загонка
       примеси при T=9500C);
       б) снятие БСС;                                                   Аналогично операции 14.
       в) снятие SiO2;
       г) 2-я стадия диффузии (разгонка
       примеси при T=11000C с
       выращиванием SiO2 по системе:
       сухой O2 - пары воды - сухой O2).




                                                            125

Страницы