ВУЗ:
Составители:
Рубрика:
126
Продолжение табл. П.2.
1 2 3 4 5 6
21 . Фотолитография 7 для вскрытия
окон под диффузию фосфора
(перед формированием n
+
-областей).
Аналогично операции 3, а – з.
22 . Диффузия фосфора для
формирования n
+
-областей (эмиттер-
ных, коллекторных приконтактных
областей и n
+
-областей
инжекционных элементов):
а) 1-я стадия диффузии (загонка
примеси при T=950
0
C) ;
б) окисление в сухом O
2
(при повышении температуры в
рабочей зоне до T=1000
0
C).
T, t, М
г
Внешний
вид, ρ
s
,
X
j
,
h SiO
2
.
Хлорокись фосфора (POCl
3
),
кислород газообразный, азот
газообразный (или аргон), раствор
для выявления p - n перехода,
травильный раствор, спирт
этиловый ректификат, вода
деионизованная марки А; батист
отбеленный мерсеризованный,
фильтр обеззоленный, алмазная
паста (на основе тонкого
микропорошка).
Аналогично операции 4.
23 . Фотолитография 8 для вскрытия
окон под контакты к элементам БИС.
Аналогично операции 3 , а – з.
24 . Нанесение
(в вакууме)
1-го слоя металлизации.
p,
параметры,
определяю
щие режим
осаждения
слоя
металлизац
ии
Внешний
вид,
толщина
слоя
металлиза
ции.
Мишень из сплава Al-(1,2%) Si;
аргон газообразный, азот жидкий,
сжатый воздух.
Установка вакуумного
напыления типа "Оратория-
5"; многолучевой
интерферометр типа
МИСС.
Продолжение табл. П.2.
1 2 3 4 5 6
21 . Фотолитография 7 для вскрытия
окон под диффузию фосфора Аналогично операции 3, а – з.
(перед формированием n+-областей).
22 . Диффузия фосфора для T, t, Мг Внешний Хлорокись фосфора (POCl3),
формирования n+-областей (эмиттер- вид, ρs, кислород газообразный, азот
ных, коллекторных приконтактных Xj , газообразный (или аргон), раствор
областей и n+-областей h SiO2. для выявления p - n перехода,
инжекционных элементов): травильный раствор, спирт
а) 1-я стадия диффузии (загонка этиловый ректификат, вода Аналогично операции 4.
примеси при T=9500C) ; деионизованная марки А; батист
б) окисление в сухом O2 отбеленный мерсеризованный,
(при повышении температуры в фильтр обеззоленный, алмазная
рабочей зоне до T=10000C). паста (на основе тонкого
микропорошка).
23 . Фотолитография 8 для вскрытия
Аналогично операции 3 , а – з.
окон под контакты к элементам БИС.
24 . Нанесение p,
(в вакууме) параметры, Внешний
Установка вакуумного
1-го слоя металлизации. определяю вид,
Мишень из сплава Al-(1,2%) Si; напыления типа "Оратория-
щие режим толщина
аргон газообразный, азот жидкий, 5"; многолучевой
осаждения слоя
сжатый воздух. интерферометр типа
слоя металлиза
МИСС.
металлизац ции.
ии
126
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 124
- 125
- 126
- 127
- 128
- …
- следующая ›
- последняя »
