ВУЗ:
Составители:
Рубрика:
126
Продолжение табл. П.2.
1 2 3 4 5 6
21 . Фотолитография 7 для вскрытия
окон под диффузию фосфора
(перед формированием n
+
-областей).
Аналогично операции 3, а – з.
22 . Диффузия фосфора для
формирования n
+
-областей (эмиттер-
ных, коллекторных приконтактных
областей и n
+
-областей
инжекционных элементов):
а) 1-я стадия диффузии (загонка
примеси при T=950
0
C) ;
б) окисление в сухом O
2
(при повышении температуры в
рабочей зоне до T=1000
0
C).
T, t, М
г
Внешний
вид, ρ
s
,
X
j
,
h SiO
2
.
Хлорокись фосфора (POCl
3
),
кислород газообразный, азот
газообразный (или аргон), раствор
для выявления p - n перехода,
травильный раствор, спирт
этиловый ректификат, вода
деионизованная марки А; батист
отбеленный мерсеризованный,
фильтр обеззоленный, алмазная
паста (на основе тонкого
микропорошка).
Аналогично операции 4.
23 . Фотолитография 8 для вскрытия
окон под контакты к элементам БИС.
Аналогично операции 3 , а – з.
24 . Нанесение
(в вакууме)
1-го слоя металлизации.
p,
параметры,
определяю
щие режим
осаждения
слоя
металлизац
ии
Внешний
вид,
толщина
слоя
металлиза
ции.
Мишень из сплава Al-(1,2%) Si;
аргон газообразный, азот жидкий,
сжатый воздух.
Установка вакуумного
напыления типа "Оратория-
5"; многолучевой
интерферометр типа
МИСС.
Продолжение табл. П.2. 1 2 3 4 5 6 21 . Фотолитография 7 для вскрытия окон под диффузию фосфора Аналогично операции 3, а – з. (перед формированием n+-областей). 22 . Диффузия фосфора для T, t, Мг Внешний Хлорокись фосфора (POCl3), формирования n+-областей (эмиттер- вид, ρs, кислород газообразный, азот ных, коллекторных приконтактных Xj , газообразный (или аргон), раствор областей и n+-областей h SiO2. для выявления p - n перехода, инжекционных элементов): травильный раствор, спирт а) 1-я стадия диффузии (загонка этиловый ректификат, вода Аналогично операции 4. примеси при T=9500C) ; деионизованная марки А; батист б) окисление в сухом O2 отбеленный мерсеризованный, (при повышении температуры в фильтр обеззоленный, алмазная рабочей зоне до T=10000C). паста (на основе тонкого микропорошка). 23 . Фотолитография 8 для вскрытия Аналогично операции 3 , а – з. окон под контакты к элементам БИС. 24 . Нанесение p, (в вакууме) параметры, Внешний Установка вакуумного 1-го слоя металлизации. определяю вид, Мишень из сплава Al-(1,2%) Si; напыления типа "Оратория- щие режим толщина аргон газообразный, азот жидкий, 5"; многолучевой осаждения слоя сжатый воздух. интерферометр типа слоя металлиза МИСС. металлизац ции. ии 126
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 124
- 125
- 126
- 127
- 128
- …
- следующая ›
- последняя »